Samsung выпустила 30-нм память DRAM для смартфонов и планшетов
Южнокорейская компания Samsung анонсировала новые высокопроизводительные и энергоэффективные модули оперативной памяти DRAM для смартфонов и планшетов, сообщает The Inquirer.
Новые чипы LPDDR2 (Low Power DDR2) объемом 4 Гб созданы по нормам 30-нм техпроцесса и способны передавать данные со скоростью до 1066 Мбит/с. Таким образом по сравнению со своими предшественниками, обеспечивающими до 400 Мбит/с, разработка Samsung LPDDR2 DRAM сможет обеспечить мобильным устройствам вдвое большую пропускную способность, а также снизить расход энергии.
"Рынок мобильных устройств стал еще более интенсивно набирать обороты, поскольку большое влияние на его рост, помимо смартфонов, теперь оказывают еще и планшеты, - комментирует производитель. – В дальнейшем Samsung намерена болеет плотно работать с разработчиками мобильных устройств, чтобы как можно скорее выпустить на рынок более высокопроизводительные и емкие модули памяти".
В ближайшее время компания приступит к производству 8-гигабайтных модулей DRAM, состоящих из двух 4-Гб чипов LPDDR2 DRAM. Ранее для создания микросхем памяти DRAM объемом 8 Гб использовалось четыре чипа по 2 Гб. По мнению производителя, именно новые модули получат наибольшее распространение в будущем году.
© @Astera
