Президенту США показали новейший чип 3 нм от Samsung

Во время поездки в Южную Корею президент США Джо Байден посетил завод Samsung Electronics, где ему продемонстрировали новейший чип компании по технологии 3 нм. 

3392eea31ef6c09cb81ab332714f9449.jpg

Трёхдневный визит Байдена начался с посещения комплекса Samsung в Пхёнтхэке. Это крупнейший в мире завод по производству полупроводниковой продукции.

Экскурсию президенту провёл вице-президент Samsung Electronics Ли Чжэ Ён. В ходе неё Байдену показали 3-нм чип нового поколения, произведённый по технологии Gate-All-Around (GAA). В Samsung заявляют, что эта технология позволяет снизить размеры компонентов на 35% и повысить производительность на 30%, а также снизить электропотребление на 50% в сравнении с чипами на основе техпроцесса 5 нм. 

Samsung утверждает, что уже ведёт разработку технологических узлов 2 нм, а массовое производство на их основе запланировано на 2025 год. Об аналогичных планах ранее сообщил конкурент компании, крупнейший производитель чипов TSMC.

Байден подчеркнул необходимость технологического партнёрства между США и Южной Кореей: «Эта фабрика — тому доказательство. Это даёт как Корее, так и Соединённым Штатам конкурентное преимущество в мировой экономике, если мы сможем сохранить устойчивость, надёжность и безопасность наших цепочек поставок».

Впервые о планах начать разработку микросхем по 3-нм техпроцессу Samsung рассказала ещё в 2018 году. Тогда компания заявила, что уже к 2021 году она начнёт массовое производство электроники по технологии 3 нм. В апреле 2019 года Samsung инвестировала в передовое производство $116 миллиардов и уже январе 2020 года представила первый 3-нм транзистор по архитектуре GAAFET. В апреле 2020 года компания перенесла сроки начала массового производства на 2022 год из-за пандемии коронавируса. 

В 2021 году представитель Qualcomm, одного из крупнейших клиентов Samsung, заявлял о задержках в производстве микросхем по 3-нм техпроцессу. По самому оптимистичному прогнозу, их производство начнётся во второй половине 2023 года, а не раньше 2024 года начнётся массовый выпуск.

В итоге Qualcomm решила заключить контракт на разработку 3-нм систем с TSMC.

© Habrahabr.ru