Intel Solid-State Drive 710 Series: надёжные SSD с технологией HET

Корпорация Intel официально анонсировала новую серию твердотельных накопителей Intel Solid-State Drive 710. Устройства новой серии, выполненные на базе многоуровневой структуры ячеек (Multi-Level Cell, MLC), предназначены для центров обработки данных и являются заменой Intel X25-E Extreme SSD.

Intel SSD 710

Intel Solid-State Drive 710 Series

В отличие от последних, базирующихся на более дорогой и высоконадежной одноуровневой структуре ячеек (Single-Level Cell, SLC), серия Intel SSD 710 используют 25-нм флэш-память NAND с многоуровневой структурой ячеек, применяемую в компьютерной промышленности. Получить необходимые значения производительности и ресурсоемкости помогает технология Intel High Endurance Technology (HET). В результате новые устройства подходят для установки в серверное оборудование, служащее для обработки финансовых данных, содержания веб-порталов и поисковых систем, а также в требовательные к ресурсам встраиваемые системы.

Серия Intel SSD 710 предлагает почти такой же ресурс, как SSD на базе одноуровневой структуры ячеек, однако имеет более высокую емкость и более низкую себестоимость за счет использования многоуровневой структуры. Ресурс накопителей, выпускаемых в вариантах емкостью 100, 200 и 300 Гбайт, при записи информации составляет до 1,1 петабайта. Ориентированные на I/O-приложения, накопители Intel SSD 710 способны выполнять случайную запись блоков данных по 4 кбайт со скоростью до 2700 операций ввода/вывода в секунду (IOPS) и случайное чтение блоков данных по 4 кбайт со скоростью до 38500 IOPS, задействовав все ячейки. Таким образом, они представляют собой подходящую замену накопителей с одноуровневой структурой и промышленных жестких дисков. Помимо повышения производительности, один Intel SSD 710 способен заменить большое число потребляющих значительное количество энергии жестких дисков и тем самым снизить операционные издержки.

Intel Solid-State Drive 710 Series

Новая серия также несет в себе улучшенные функции надежности и безопасности: улучшенная защита данных при внезапном отключении электропитания; повышенная защита данных за счет использования дополнительных блоков памяти (ими замещаются ячейки, которые выходят из строя); шифрование Advanced Encryption Standard (AES) со 128-битным ключом для защиты от внешних угроз и встроенный датчик температуры для автономного контроля или контроля посредством технологии SMART.

Новые устройства позволяют до 80% увеличить ресурс на запись данных при грамотном обслуживании. Продлить срок эксплуатации накопителей помогает технология Intel HET, сочетающая в себе улучшенную полупроводниковую технологию и уникальные алгоритмы управления. Технология состоит из прошивки Intel, контроллера и модернизированной памяти. Высокий ресурс позволяет использовать устройства в среде с интенсивной обработкой данных 24 часа в сутки, 7 дней в неделю, включая финансовые расчеты, научные расчеты и так далее. Разработанная Intel прошивка включает улучшенные механизмы защиты от ошибок, алгоритмы продления срока службы и механизмы управления ошибками на системном уровне, работающие вне поля стандартов Error Correction Code (ECC).

Накопители серии Intel SSD 710 ниже по стоимости за 1 Гбайт в сравнении с Intel X25-E SSD. Стоимость накопителей составляет $649 за модель емкостью 100 Гбайт, $1289 за модель емкостью 200 Гбайт и $1929 за модель емкостью 300 Гбайт. Дополнительная информация об Intel SSD доступна на сайте производителя.

В этом году представителей THG пригласили для участия в конференции Flash Memory Summit 2011, в рамках которой поднимаются вопросы проблематики развития технологий флеш-памяти и рынка накопителей на её основе. Наши представители рассказали о перспективах решений на основе флеш-памяти со стороны потребителей и корпоративных пользователей. В рамках двух секций конференции, THG открыла немало фактов, о которых умалчивают производители. Именно поэтому программа выступлений наших специалистов вызвала пристальное внимание участников мероприятия. Подробнее о поднятых вопросах можно узнать в статье «Flash Memory Summit 2011: выступление THG».

©  Tom's Hardware