Intel и Micron разработали новый 20 нм техпроцесс изготовления памяти15.04.2011 18:51

Intel и Micron сумели освоить 20-нм техпроцесс изготовления памяти типа NAND Flash. Напомним, что к 25-нм техпроцессу эти компании перешли относительно недавно – в прошлом году.

Представленный образец NAND-памяти способен хранить до 8 Гб данных и занимает при этом площадь всего 118 мм². Это на 30-40% компактнее существующих ныне аналогов.

Вполне очевидно, что 8 Гб – далеко не предел, и в ближайшем будущем нас ждет значительное увеличение памяти в смартфонах, планшетах и SSD-накопителях. К слову, Intel уже пообещала продемонстрировать твердотельный накопитель емкостью 128 Гб, не превышающий размерами обычную почтовую марку. Что ж, ждем с нетерпением.