Альянс IBM объявляет о первых результатах своей работы

Компания IBM со товарищи недавно объявила о готовом прототипе устройства, обеспечивающего небывало высокую производительность и низкое энергопотребление, изготовленного по технологии, известной как «high-k/metal gate» или HKMG и построенного на базе кремния. Это достижение подкинет серийным производителям пищу для размышлений, как подобные устройства можно производить в промышленных масштабах, поскольку необходимость в этом может возникнуть в самом ближайшем времени.

IBM high-k metal gate прототип

По оценкам членов альянса, о котором лента MobileDevice.ru сообщала уже неоднократно, 32-нм чипы, изготовленные подобным образом, обеспечат прирост производительности в 35% по сравнению с 45-нм аналогами, а энергопотребление может снизиться от 30 до 50% в зависимости от рабочего напряжения. Кроме того, заявлено повышение производительности на 40% по сравнению с 32-нм чипами, изготовленными из традиционного Poly/SiON-материала. Думается, нет нужды уточнять, какие горизонты может открыть данная разработка для всего мира микроэлектроники.

©  MobileDevice