Hynix лицензировала технологию STT-RAM и сокращает производство памяти NAND
Hynix Semiconductor Inc. и Grandis Inc. подписали лицензионное соглашение на производство оперативной памяти STT-RAM (spin-transfer torque random access memory), патент на технологию производства которой принадлежит Grandis. Помимо этого, компании подписали соглашение, согласно которому интеграция новой технологии, включая производство необходимого MTJ-материала (magnetic tunnel junction), в будущие "продукты памяти" Hynix будет совместно проводиться специалистами обеих корпораций. Обе корпорации весьма довольны соглашением, чего, собственно, и не скрывают.
"Благодаря нашему партнерству с Grandis мы сможем внедрить передовую технологию STT-RAM в наш производственный процесс, что откроет новую эру для оперативной памяти", - заявил глава научно-исследовательского подразделения Hynix (Сеул, Южная Корея) Сан Вук Пак (Sung Wook Park). "STT-RAM – сложная составная технология, включающая в себя преимущества технологий SRAM, DRAM и памяти "флеш", и предлагающая дальнейшую масштабируемость технологии производственного процесса'', - сказал Йиминг Хуай (Yiming Huai), вице-президент и технический директор Grandis, - ''Наши недавние достижения в исследовании магнитных материалов откроют новые рынки для STT-RAM''.
STT-RAM – энергонезависимая память нового поколения, превосходящая по объему традиционные RAM. В то время как другие компании пытаются снизить производственные расходы и увеличить вместимость оперативной памяти за счет "ужатия" технологии производства до 40-нм, Grandis просто предложила использование нового магнитного материала в особой архитектуре, что делает STT-RAM дешевле, энергоэффективнее и "объемнее" существующих решений, при этом по износостойкости и скорости записи/чтения STT-RAM также не уступает.
Hynix также сообщила, что компания будет в настоящее время снижать производство флеш-памяти NAND (5% мирового ее выпуска приходится на долю этой компании). Компания также собирается продать два своих завода (М8 и М9) по производству памяти NAND. Сэкономленные и полученные средства пойдут на преобразование текущего 57-нм производственного процесса в 48-нм.
© TechLabs
