Показываем и рассказываем про ЦКП «Визуализация высокого разрешения» на базе «Сколтеха»
В 2018 году в «Сколтехе» был создан Центр коллективного пользования (ЦКП) «Визуализации высокого разрешения», оснащённый современными электронными микроскопами, в том числе просвечивающий электронный микроскоп с корректором сферических аберраций Titan Themis Z, двухлучевой сканирующий электронный микроскоп Helios G4 Plasma FIB Uxe и сканирующий электронный микроскоп Quattro S с возможностью работы в низком вакууме. Героем сегодняшнего интервью стала Шахова Ярослава Эдуардовна — руководитель ЦКП «Визуализация высокого разрешения». Ярослава подробно рассказала об истории Центра, его достижениях и богатом техническом оснащении.
Какие ключевые этапы в истории развития Центра можете указать?
В качестве первого этапа я хотела бы отметить закупку просвечивающего электронного микроскопа Themis Z, которая состоялась в конце 2016 года по инициативе профессора А.М. Абакумова. На тот момент ЦКП «Визуализация высокого разрешения» (далее — Центр) ещё не был создан формально, но уже было фундаментальное понимание концепции центра электронной микроскопии, который бы соответствовал мировым стандартам по оборудованию и компетенциям. Концепцию разрабатывал А.М. Абакумов. Сегодня он научный руководитель Центра, и я ему активно в этом помогала.
В рамках разработанной концепции мы планировали закупку 6 микроскопов (3 сканирующих электронных микроскопа и 3 просвечивающих электронных микроскопа) и организацию лаборатории по пробоподготовке, поскольку электронная микроскопия требует очень тщательной подготовки образцов для проведения исследований. Нам в значительной мере удалось реализовать наши планы, у нас сегодня 3 сканирующих электронных микроскопа и 1 просвечивающий плюс хорошо оснащенная лаборатория пробоподготовки, что позволяет нам выполнять практически все поступающие к нам запросы.
Следующим этапом стало формальное создание Центра в 2018 году, а самым важным этапом стал запуск оборудования в 2019 году и полноценное начало работы Центра как с внутренними заказчиками, которыми для нас являются научные Центры «Сколтеха», так и с внешними заказчиками. На сегодняшний день Центр становится узнаваемым в области электронной микроскопии, количество заказчиков в каждым годом увеличивается.
С 2019 года мы планировали расширение Центра и последующую закупку ещё двух микроскопов, просвечивающего и сканирующего. На сегодняшний день мы заканчиваем ремонт в помещениях, однако возможность закупки нового оборудования остается открытой. Мы прорабатываем разные варианты. В 2021 в «Сколтехе» был создан Центр исследовательской инфраструктуры, который объединил все ЦКП «Сколтеха» в один центр с уникальной исследовательской инфраструктурой и на сегодняшний день продолжает развивать и улучшать научно-исследовательскую инфраструктуру в самых разных направлениях.
Опишите сферы в области компетенции ЦКП и их особенности.
Центр обладает широким спектром компетенций по работе с самыми разным образцами и задачами, с которыми к нам приходят заказчики, от изучения морфологии частиц на сканирующем электронном микроскопе Quattro S до решения кристаллической структуры нового вещества на просвечивающем электронном микроскопе Themis Z.
Например, у вас есть задача, вам необходимо изучить пористость внутри вашего материала. Такую задачу с лёгкостью можно решить, используя двухлучевой сканирующий электронный микроскоп при помощи эксперимента AutoSlice&View. Подготовка такого эксперимента состоит из нескольких шагов:
на поверхность образца в области интереса наносится защитный слой платины с характерными размерами области интереса и толщиной не менее 1 мкм с использованием электронного пучка;
вокруг области интереса удаляется материал с 3-х сторон с использованием ионного пучка, формируя каналы вокруг области интереса и «обнажая» фронтальное сечение области интереса;
образец помещается в точку эвцентрика, которая соответствует точке пересечения электронного и ионного пучков, поскольку ионный пучок расположен по отношению к электронному пучку под углом, который зависит от фирмы производителя сканирующего электронного микроскопа;
фронтальное сечение области интереса «захватывается» с использованием электронного пучка, для чего можно использовать различные детекторы, установленные в сканирующем электронном микроскопе, например, детектор вторичных электронов, детектор обратнорассеянных электронов, внутрилинзовый детектор (его можно использовать только для немагнитных материалов, в силу конструктивных особенностей детектора), или же можно совмещать детекторы вторичных и обратнорассеянных электронов для получения изображений;
с использованием ионного пучка с фронтального сечения области интереса удаляется слой материала заданной толщины, операции 4 и 5 повторяются необходимое количество раз, для получения массива данных;
с использованием различного программного обеспечения выполняется реконструкция 2D массива данных в 3D масштаб.
Морфология поверхности геологического образца перед проведением эксперимента по AutoSlice&View
Аналогичным образом можно изучать элементный состав или же кристаллическую структуру образца. Нужно просто использовать другие детекторы, например, EDX (energy dispersive X-Ray spectroscopy) или EBSD (Electron back scattering diffraction). У нас богатый опыт проведения подобных экспериментов на различных геологических образцах. Задача по изучению пористости в материале очень актуальна для нефтегазовой промышленности, поскольку в породе нефть находиться в порах, поэтому для оценки потенциала месторождения важно определить размер пор, их взаимосвязанность и многие другие параметры.
Или же у вас есть, например, титан, который подвергли воздействию интенсивной пластической деформации для улучшения его механических свойств, и вам необходимо определить размер ёрен. Решить такую задачу можно используя методику EBSD на сканирующем электронном микроскопе, что позволит получить изображение зёренной структуры вашего образца, при этом кристаллографическая ориентация зёрен будет определена. Используя специальное ПО, которое поставляется в комплекте с детектором, можно определить углы разориентировки как на границе зёрен, так и внутри зерна. Но метод имеет физическое ограничение — нельзя определить угол разориентировки менее 2°, определить плотность дислокаций, посчитать размер зёрен и многое другое.
Для методики EBSD важную роль играет пробоподготовка. Поверхность образца должна быть идеальной, в некоторых случаях необходимо вырезать ламель, то есть выполнять подготовку образца для EBSD на «просвет». Обычно это требуется для сложных образцов, например, титан или алюминий, особенно после интенсивной пластической деформации, когда размер зёрен может составлять единицы и десятки нанометров.
Суть эксперимента заключается в следующем: в процессе выполнения эксперимента пучок перемещается по поверхности образца в каждой точке которого происходит запись картины Кикучи-линий, затем происходит сравнение экспериментальной и теоретической картин (теоретическая картина определяется материалом образца, то есть необходимо выбрать фазу из базы данных в ПО). На основании выполненного сравнения происходит построение изображения зёренной структуры образца. Параметры проведения сьёмки, например, область интереса и шаг сьёмки, зависят от материала и предполагаемого размера зёрен. Чем мельче размер зерён, тем меньше будет область интереса и меньше шаг сьёмки. Выполнять сьёмку можно не только на маленьких областях, у сотрудников Центра есть опыт работы с большими полями, например, сьёмка области 1×1 мм2, при этом время сьёмки не будет очень большим за счёт использования высокоскоростной камеры, установленной на микроскопе Tescan Solaris. Использовать методику EBSD можно для различных материалов, но, важно помнить, что если в образце есть две фазы с одинаковым типом решётки, например, гранецентрированная кубическая решётка. Программа не сможет их разделить, несмотря на то, что есть различия в параметрах кристаллической решётки.
Ещё один пример: вы синтезировали катодный материал и вам необходимо изучить его кристаллическую структуру и элементный состав. Решить такую задачу можно используя методики HAADF-STEM (high angle annular dark field scanning transmission electron microscopy), EDX и EELS (electron energy loss spectroscopy) на просвечивающем электронном микроскопе. Применение методики HAADF-STEM позволяет визуализировать кристаллическую решётку образца, изучить наличие дефектов в кристаллической структуре. Однако HAADF-STEM позволяет визуализировать только тяжёлые элементы, то есть одновременно на изображении нельзя увидеть атомы лития и кобальта.
Поскольку одновременное изучение положения лёгких и тяжёлых элементов представляет большой интерес в последние несколько лет, была разработана методика iDPC (integrated differential phase contrast), которая позволяет визуализировать одновременно лёгкие и тяжёлые элементы. Сочетание методик HAADF-STEM и EDX или HAADF-STEM и EELS с атомным разрешением позволит определить положение конкретного элемента в кристаллической решётке. EDX можно применять и для изучения гомогенности распределения элементов в образце, это поможет оптимизировать параметры синтеза. В катодных материалах важно изучение не только кристаллического строения, но и электронного строения переходных металлов для решения этой задачи можно использовать методику EELS.
Использовать указанные выше методики можно для изучения широкого спектра материалов, например, гетероструктур, металлов, тонких плёнок, наночастиц и т.д. Возвращаясь к теме катодных материалов, изучение кристаллической структуры катодного материала является критически важной задачей. Основная масса современных катодных материалов, которые используют в наших телефонах, ноутбуках и т.д., характеризуется слоистой структурой, и очень важно понимать, как происходит движение лития внутри кристаллической решётки в процессе зарядки и разрядки аккумулятора. Благодаря указанным выше методикам можно получить исчерпывающую информацию о процессах в кристаллической решетке материала.
Почему это важно изучать? Потому что слоистые структуры могут «схлопнуться», это если говорить совсем просто. То есть внутри кристаллической решётки не будет «пути» для движения лития, что в итоге приведёт к сокращению времени жизни аккумулятора, то есть сократится количество возможных циклов разрядки-зарядки аккумулятора. Именно поэтому нужно разрабатывать материал со стабильной структурой или заниматься разработкой новых катодных материалов не со слоистой структурой.
Кристаллическую структуру можно изучать не только с использованием HAADF-STEM, но и используя электронную дифракцию. Это позволит определить тип кристаллической решётки. Одним из интересных примеров применения электронной дифракции является решение кристаллической структуры нового вещества, например, нового синтезированного катодного материала, электронная томография обратного пространства.
Суть эксперимента заключается в том, что оператор получает изображения электронной дифракции, при этом каждое последующее изображение получено после поворота образца на 1°. Также есть нулевое положение образца, и его наклоняют как в положительном направлении, так и в отрицательном. У нас есть специальный держатель для выполнения такого эксперимента, который позволяет наклонять образец на ±90°. Таким образом получается набор изображений электронной дифракции, которые затем подвергают обработке с использованием различного ПО, что в итоге позволяет определить тип кристаллической решётки образца и реконструировать элементарную ячейку кристаллической решетки. Эту задачу можно решить и используя рентгеновскую дифракцию, но иногда, по разным причинам, применение рентгеновской дифракции невозможно, например, недостаточное количество образца. С такой задачей к нам чаще всего приходят коллеги, которые заниматься разработкой катодных материалов для нашей с вами портативной электроники, но не только. Как я уже говорила выше изучение кристаллической решетки катодного материала является очень важной задачей, поскольку она оказывает влияние на свойства, например, на количество циклов разрядки-зарядки аккумулятора, но не только.
Какое оборудование и ПО используется в центре? Как его удалось достать?
Концепция Центра заключается в создании передового центра в России в области электронной микроскопии. На сегодняшний день это один из передовых методов исследования широкого спектра материалов, от металлов до биологических объектов. При этом мы можем заглянуть «внутрь» объекта, например, металла или катодного материала, и увидеть, как выглядит его кристаллическая структура, есть ли дефекты в решётке, как именно расположены в кристаллической решётке атомы различных элементов и многое другое.
Сегодня в Центре установлено 4 электронных микроскопа, 3 сканирующих электронных микроскопа (производство ThermoFisher Scientific и Tescan) и 1 просвечивающий электронный микроскоп с пробкорректором (производство ThermoFisher Scientific). При этом из 3-х сканирующих микроскопов 2 являются двухлучевыми, то есть у них две колонны одна — электронная, для визуализации, и вторая — ионная, для травления. Один из них — это Helios G4 Helios G4 Plasma FIB Uxe, в момент закупки это было первое поколение микроскопов, в котором использовали ксенон в качестве источника ионов, и второй — это Tescan Solaris, в котором в качестве источника ионов выступает галлий.
Двухлучевой сканирующий электронный микроскоп Helios G4 Plasma FIB Uxe оснащён двумя колонами — электронной Elstar с высокоточной технологией UC+ для получения изображений с высоким разрешением и ионной Phoenix для наиболее точной пробоподготовки образцов для просвечивающей электронной микроскопии. Также он оснащён как стандартными детекторам, такими как ETD, BSE и TLD, которые позволяют изучать морфологию поверхности, так и детекторами EDX для изучения элементного состава и EBSD для изучения кристаллической структуры. Поскольку наличие ионной колоны позволяет готовить тонкие ламели с толщиной менее 100 нм для изучения на просвечивающем электронном микроскопе, на Helios G4 Plasma FIB Uxe установлен детектор STEM 3+, который позволяет работать в сканирующем просвечивающем режиме в BF, DF и HAADF режимах. Паспортное разрешение прибора 0,6 нм при ускоряющем напряжении 2 кВ.
Подготовка ламели из катодного материала для исследования на просвечивающем электронном микроскопе. Источник: «Сколтех»
Двухлучевой сканирующий электронный микроскоп Tescan Solaris оснащён аналогичными детекторами как и Helios G4 Plasma FIB Uxe, но в дополнение к ним на этом приборе можно проводить исследования элементного состава с использованием методики TOFS-SIMS и механические испытания внутри камеры микроскопа, в частности, наноидентирование.
Ещё у нас есть просвечивающий электронный микроскоп Themis Z, который может работать в двух режимах: обычном просвечивающем и сканирующем просвечивающем. Разница в двух режимах заключается в схеме формирования электронного пучка при освещении образца.
Для просвечивающего режима формируется параллельный пучок, который «падает» на образец. В результате взаимодействия электронов пучка с материалом мы можем увидеть тонкую структуру образца. Толщина образца при этом должна быть менее 100 нм, а для получения изображений с атомным разрешением толщина образца должна быть менее 50 нм.
В сканирующем просвечивающем режиме электронный пучок при настройке должен сфокусироваться в точку на поверхности образца и изображение образца формируется в результате перемещения пучка по поверхности образца. Микроскоп Themis Z оснащён пробкорректором сферических аберраций, что существенно позволяет улучшить разрешающую способность микроскопа, так разрешающая способность в сканирующем режиме 60 пм, что позволяет нам визуализировать атомы. Важным преимуществом сканирующего просвечивающего режима над просвечивающим является возможность прямой интерпретации данных. При работе в сканирующем режиме обычно используют ABF или HAADF детекторы, но не только. Формирование контраста на изображении зависит от порядкового номера (Z) элемента в таблице Менделеева. При использовании HAADF детектора контраст на изображении формируется за счёт некогерентно рассеянных электронов на большие углы (~70–185 мрад), в этом случае контраст будет очень чувствительным к атомному номеру элемента Z и интенсивность рассеяния электронов увеличивается в соответствии с Zn (n<2). Поскольку контраст в HAADF сильно зависит от Z, то легкие элементы практически невидимы на изображении.
Кристаллическая структура катодного материала в просвечивающем электронном микроскопе, методики ABF и HAADF. Источник: «Сколтех»
При использовании ABF детектора формирование контраста на изображении происходит за счёт сочетания среднеуглового Брэгговского рассеяния и дальнеуглового некогерентного рассеяния электронов, в результате чего зависимость интенсивности от Z изменяется в соответствии с Z1/3, что позволяет визуализировать положение легких элементов (кислород и литий) в атомной структуре. Таким образом, оператор может напрямую интерпретировать изображения, например, для HAADF изображения (изображение выше) белые точки на изображении это атомы в кристаллической решётке.
Также, микроскоп оснащён EDX детектором для изучения элементного состава образца. Отличительной особенностью системы Super-EDX является то, что детектор не один, их четыре, что позволяет «захватить» всё характеристическое рентгеновское излучение, которое генерируется при взаимодействии электронного пучка с образцом. Таким образом существенно увеличивается скорость набора спектра в процессе эксперимента. При выполнении эксперимента можно сочетать различные методики, например, получить изображение кристаллической решётки и затем выполнить элементный анализ, что позволяет визуализировать атомы элементов в кристаллической решётке.
Как было отмечено выше, сложно визуализировать одновременно лёгкие и тяжёлые элементы. Однако относительно недавно был разработан новый детектор, который позволяет это сделать. В рамках последнего апгрейда микроскопа Themis Z в 2021 году мы установили такой детектор, что позволяет нам визуализировать одновременно лёгкие и тяжёлые элементы в кристаллической решетке образцов, методика называется integrated Differential Phase Contrast. Themis Z можно использовать в широком интервале ускоряющих напряжений, 80, 120, 200 и 300 кВ, что позволяет исследовать и чувствительные к воздействию электронного пучка.
Помимо EDX детектора на микроскопе установлен EELS спектрометр, который позволяет определять наличие лёгких элементов, что в силу физических ограничений метода EDX сложно сделать. Также можно изучать электронную конфигурацию переходных элементов, что является очень важным при изучении, например, катодных материалов.
И последний микроскоп в нашем Центре — это сканирующий электронный микроскоп Quattro S с возможностью работы в низком вакууме и в насыщенных парах воды, что позволяет нам исследовать биологические объекты и другие непроводящие образцы, например, геологические. Микроскоп Quattro S оснащён EDX детектором для исследования элементного состава образцов. Разрешающая способность Quattro S немного хуже, чем у микроскопов Helios G4 Plasma FIB Uxe и Tescan Solaris, и составляет 1 нм при ускоряющем напряжении 30 кВ, но этого достаточно для задач как внутренних, так и внешних заказчиков.
Отдельно я хотела бы отметить, что в Центре есть всё необходимое оборудование для пробоподготовки образцов как для сканирующей, так и для просвечивающей электронной микроскопии, которое включается в себя отрезные станки, установки для механической, ионной и электролитической полировки и т.д.
Всё оборудование было закуплено до 2022 года, в связи с чем у нас не было слишком больших сложностей при закупке. Производители выдавали разрешения на продажу оборудования «Сколтеху», поскольку на тот момент, несмотря на санкции 2014 года, мы не были в санкционном списке, в него мы попали только в августе 2022 года.
Какая доля отечественного/зарубежного ПО и оборудования в ЦКП?
В процессе закупки микроскопов мы, конечно, формировали пул необходимого нам ПО для обработки данных, которые генерируются в процессе экспериментальных исследований, и в большинстве случаев всё ПО входило в комплект поставки оборудования. Например, на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе Helios G4 Plasma FIB Uxe установлены детектор для определения элементного состава и детектор для сьёмки микродифракции картин обратно рассеянных электронов (Electron Back Scattering Diffraction — EBSD), что требует наличия специализированного ПО для обработки полученных данных, и ПО идёт в комплекте, но только лицензия на 1 компьютер. Если необходимы лицензии для большего количество пользователей, необходимо покупать отдельно. И так с большинством ПО, которое у нас есть в Центре.
Зёренная структура стали 316L, полученная с использованием методики микродифракции обратнорассеянных электронов
В качестве дополнительного ПО мы включали в комплект поставки ПО для проведения эксперимента AutoSlice&View, что позволяет нам изучать пористость внутри материала, при стандартном эксперименте, когда мы просто визуализируем поверхность области интереса с использованием электронной колоны. Используя AutoSlice&View эксперимент можно изучать элементный состав или кристаллическую структуру по глубине образца используя или EDX или EBSD детектор. Таким образом, можно получить информацию о пористости, элементном составе или кристаллической структуре образца в 3D.
Также у нас есть ПО MAPS для сьёмки в автоматическом режиме больших полей с целью последующей сшивки полученных изображений в одно большое поле. Это позволяет получить, например, изображение чипа с хорошим разрешением для контроля технологического процесса.
Отдельно мы закупали ПО Avizo, которое позволяет проводить реконструкцию экспериментальных данных из 2D в 3D. У Avizo высокие требования по «железу», и для его установки мы специально собирали ПК, который будет удовлетворять требованиям ПО. Всё ПО, которое мы используем в Центре, является зарубежным, его разработчиком являются компании, которые производят электронные микроскопы и различные детекторы для электронных микроскопов, отечественных аналогов нет.
Всё оборудование, которое используется в Центре зарубежного производства, у нас, к моему большому сожалению, не производят ни одну позицию из того оборудования, которое у нас установлено.
Вы используете нейросети в работе?
Нет, мы не используем нейросети в своей работе.
Насколько сложно поддерживать систему в условиях санкций? Техническая поддержка, замена вышедших из строя блоков и так далее.
К сожалению, санкции для нас являются ощутимыми, поскольку всё оборудование у нас иностранного производства, и сейчас мы остались не только без поставок запчастей и оборудования, но и без технической поддержки со стороны производителей. Они категорически отказываются взаимодействовать с нами.
В то же время, я могу сказать, что совсем без сервиса мы не остались, потому что у многих поставщиков оборудования есть свои команды сервисных инженеров, которые проходили обучение у производителей оборудования и обладают всеми необходимыми навыками для ремонта и восстановления работоспособности оборудования. Иногда бывают ситуации, когда сервисные инженеры не могут решить проблему, и в этом случае была возможность обратиться к производителю оборудования для решения проблемы силами его сервисных инженеров. Отсутствие такой возможности сейчас является тревожной для Центра. По поставкам необходимых запчастей и расходных материалов мы решаем проблемы по мере их поступления.
С чем чаще работаете — с частными компаниями или госструктурами и институтами? Расскажите про заказчиков и как их искали.
Мы работаем с разными заказчиками, основной группой наших заказчиков являются научные Центры «Сколтеха». Но здесь я хочу отметить, что сотрудникам Центров «Сколтеха» мы предоставляем доступ для самостоятельной работы на приборах, не на всех, но, например, они могут пройти обучение по работе на микроскопе Quattro S, который можно использовать для решения рутинных задач.
В качестве внешних заказчиков выступают и научные институты, и университеты, и частный сектор. В поиске новых заказчиков нам помогает один из конкурсов Российского научного фонда для объектов исследовательской инфраструктуры. Наш Центр уже дважды участвовал в этом конкурсе в 2021 и 2023 годах. По результатам конкурса 2021 года наш Центр выиграл 5 проектов, в 2023 году — 7 проектов. Проекты 2021 посвящены самым разным темам, например, в рамках выполнения проектов 2020 года мы занимаемся изучением катодных материалов, углеродных материалов, полимеров с эффектом памяти формы и функциональных наносистем на основе ультрамалых частиц.
Организации, которые выиграли в конкурсе 2021 года — это МГУ им. М.В. Ломоносова, МИСИС, ИХТТМ СО РАН и КФУ. В 2023 году выиграли проекты по изучению полупроводниковых нанокристаллов для биомедицины, топологических изоляторов для применения в сверхпроводниковой электронике и спинтронике, дисперсных частиц в неравновесных титановых и магниевых сплавах, оптических латеральных логических вентилей на основе поляритонных конденсатов, диэлектрических наноструктур, планарных структур и функциональных магнитных микросфер. Из 7 проектов победивших в конкурсе 2023 году, два проекта от «Сколтеха», два проекта от Университета ИТМО и по одному проекту от МФТИ, БашГУ, МГУ им. М.В. Ломоносова.
Но мы работаем не только с научными институтами и университетами. Нашими заказчиками бывают и компании, например, компания «Крокус Наноэлектроника», «Метаклэй», «Самсунг», QRate, «Геодерма» и др. Здесь я бы хотела отметить, что специфика работы центра определяет наличие значительной долю интереса к Центру именно со стороны научных институтов и университетов, мы очень много работ выполняли для МГУ им. М.В. Ломоносова, МИСИС, РНИМУ им. Н.И. Пирогова, ИХ ДВО РАН, ОИЯИ. До 2022 года мы выполняли работы и для иностранных коллег, например, для College de France, Kyoto University, Kanagawa University, Université de Bordeaux.
В основном заказчики находят Центр самостоятельно или же выполнение работ в Центре им рекомендовали другие заказчики, которые ранее заказывали выполнение работ. Сообщество по электронной микроскопии относительно небольшое, в результате чего рекомендации начинают работать. Специальным поиском заказчиков Центр занимается для участия в конкурсе РНФ для обьектов инфраструктуры.
ЦКП сейчас работает в ноль и в значительной мере себя обеспечивает, я верно понимаю? С учётом специфики центра, это неплохой результат. Как вы считаете, за счёт чего его удалось достичь? Насколько дороги сейчас исследования на вашем оборудовании?
Да, Центр себя обеспечивает по расходным материалам и частично при закупке запчастей для оборудования. Это наши операционные расходы по содержанию лаборатории, я не включаю в них зарплату сотрудников Центра. Результат действительно очень хороший, потому что с учётом стоимости всего оборудования, которое установлено в Центре, мы не можем говорить об окупаемости оборудования. Максимум, что можно достичь — это покрытие операционных расходов Центра. Я думаю, что получить такой получилось за счёт повышения узнаваемости Центра, поскольку нас уже рекомендуют для проведения исследований те для кого мы проводили исследования ранее, что говорит о высоком уровне компетенций сотрудников Центра.
В последнее время мы не изменяли стоимость проведения исследований. Всё зависит от задачи, я могу сказать, что иногда стоимость исследования одного образца может составить порядка 150 тысяч рублей, а иногда стоимость исследования 10 образцов может составить также порядка 150 тысяч рублей. В первом случае такая стоимость может быть связана с необходимостью выполнения пробоподготовки на двухлучевом сканирующем электронном микроскопе с последующим исследованием кристаллической структуры образца, или с высоким разрешением, или же с использованием электронной дифракции и исследование элементного состава образца на просвечивающем электронном микроскопе. Во втором случае необходимо исследовать морфологию или частиц или поверхности образца на сканирующем электронном микроскопе.
***
Обязательно посетите виртуальный тур по лаборатории, в котором можно своими глазами увидеть оборудования о заочно познакомиться с сотрудниками Центра.
