Samsung выпускает память HBM2E
Компания Samsung на конференции GTC представила обновленную версию своей широкополосной памяти, которую она назвала Flashpoint.
Память новой модификации может работать на треть быстрее, чем HBM2. Новые чипы обладают пропускной способностью в 3,2 Гб/с на контакт, а плотность на ядро удвоена до 16 Гб. При этом речь идёт о 8-слойных стеках. Таким образом, пакет 16 ГБ памяти HBM2E обладает пропускной способностью 410 ГБ/с. При работе с 4 стеками скорость составит поразительные 1,64 ТБ/с при объёме 64 ГБ. Современные конструкции стеков 4×4-Hi, используемые в AMD Radeon VII, имеют объём 16 ГБ и предлагают скорость 1 ТБ/с.
Память HBM2 от Samsung
Пока неизвестно, поступит ли память Samsung HBM2E в массовое производство, но эти чипы явно не стоит ожидать в Navi, поскольку AMD наверняка использует куда более доступные GDDR6.
