Samsung приступает к массовому производству SoC на техпроцессе 10-нм FinFET (10LPE)
Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о том, что полностью готова приступить к массовому производству «систем-на-чипе» на основе 10-нанометрового технологического процесса FinFET. Производитель стал первым, кто внедрил данную технологию.
Свежая разработка носит название 10LPE и использует обновленную конфигурацию трехмерных транзисторов. В сравнении с предыдущей 14-нанометровой технологией изменилась не только тонкость процесса, но и структура SoC.
В целом внедрение 10-нм техпроцесса FinFET по данным компании Samsung позволило на 30 процентов увеличить эффективность использования рабочей площади чипа, на 27 процентов увеличить его производительность и 40 процентов снизить показатель энергопотребления.
По словам южнокорейского гиганта, процессоры на базе 10-нм технологического процесса будут выпущены уже в самом начале 2017 года. Однако уже во второй половине года ожидается выход CPU на базе техпроцесса 10 нм второго поколения, который имеет рабочее название 10LPP. Он обещает увеличение производительности в сравнении с предшественником.
Источник
