Samsung попытается внедрить трёхмерную структуру транзисторов в рамках будущих техпроцессов
И работы над этим уже ведутся.
Технологии трёхмерной компоновки транзисторных структур, которые уже применяются при производстве микросхем памяти типа 3D NAND, пока не прописались в сегменте производства логических микросхем, поэтому все крупнейшие производители полупроводниковых компонентов стремятся стать пионерами в этой сфере. Как сообщает DigiTimes со ссылкой на южнокорейское издание ET News, компания Samsung Electronics уже приступила к разработке трёхмерной структуры транзисторов 3DSFET, которая станет эволюционным продолжением применяемой сейчас в рамках 3-нм техпроцесса компоновки транзисторов с окружающим затвором.
Источник изображения: Samsung Electronics
Выпуск чипов по 3-нм технологии с окружающим затвором (GAA) компания Samsung Electronics освоила ещё в 2022 году, но транзисторные структуры при этом сохраняют плоскостную компоновку. Дальнейшее увеличение плотности размещения транзисторов специалисты в этой сфере связывают уже не с уменьшением геометрических размеров транзистора, а с переходом к трёхмерной компоновке. Samsung пытается перейти к трёхмерной структуре транзисторов в рамках техпроцессов, следующих за 3-нм. Если компании удастся опередить в этой сфере основных конкурентов, то она сможет заметно расширить круг своих клиентов на контрактном направлении, воплотив в жизнь свою давнюю мечту о снижении зависимости от переменчивого рынка памяти.
