Samsung получит возможность выпускать в Китае 236-слойную память типа 3D NAND
Благодаря гуманной политике экспортного контроля США.
По данным Business Korea, возможность поставлять передовое оборудование для выпуска памяти 3D NAND в Китай для Samsung Electronics осенью этого года обрела первостепенное значение, поскольку в октябре истекал срок первоначального освобождения от действующих правил экспортного контроля США, которые не допускают появление в Китае оборудования, пригодного для выпуска памяти с количеством слоёв более 128 штук. Собственно, до сих пор крупнейшее предприятие Samsung в китайском Сиане как раз и выпускало 128-слойную память 3D NAND, обеспечивая до 40% объёмов производства в масштабах всего бизнеса Samsung.
Источник изображения: Samsung Electronics
Получив бессрочное право поставлять в Китай для своих нужд любое оборудование, Samsung теперь намеревается отгрузить до конца года всё необходимое для перехода к выпуску 236-слойной памяти типа 3D NAND на площадке в Сиане. Непосредственно старт производства намечен на следующий год. Пока на рынке наблюдается избыток твердотельной памяти, у Samsung есть возможность заняться техническим перевооружением производства. Тем более, что сейчас предприятие в Сиане загружено максимум на 20%. Переход на более современную память позволит компании снизить себестоимость данного вида продукции и повысить её конкурентоспособность на мировом рынке.
