Samsung показала первую рабочую память MRAM
Оперативная память будущего уже не за горами: корейская компания представила первый хорошо работающий прототип MRAM
В стандартной компьютерной архитектуре данные хранятся в микросхемах памяти, а обработка данных проводится в отдельных процессорных микросхемах. Вычисления внутри памяти — это новая парадигма, в которой хранение данных и вычисления будут происходить на одних микросхемах. Поскольку эта схема может обрабатывать большой объем данных, хранящихся в самой сети памяти, без необходимости перемещения информации, а также благодаря параллельной работе систем, ее энергопотребление будет значительно ниже современных аналогов.
Вычисления внутри памяти стали одной из перспективных технологий для реализации на полупроводниковых микросхемах ИИ следующего поколения с низким энергопотреблением. По этой причине во всем мире активно ведутся исследования в этой области. Энергонезависимая память, в частности RRAM (резистивная память с произвольным доступом) и PRAM (Память с произвольным доступом с изменением фазы), активно использовались для демонстрации вычислений в памяти.
Напротив, до сих пор было трудно использовать MRAM — другой тип энергонезависимой памяти — для проведения вычислений внутри памяти, несмотря на такие достоинства MRAM, как скорость работы, долговечность и крупномасштабное производство. Эта трудность связана с низким сопротивлением MRAM, из-за которого она не может позволяет снижать энергопотребление при использовании в стандартной архитектуре.
Исследователи Samsung Electronics предложили решение этой проблемы с помощью архитектурной инновации: им удалось разработать микросхему с массивом MRAM, в которой стандартная архитектура с суммой токов заменена новой архитектурой с суммой сопротивлений. Это решает проблему малых сопротивлений отдельных устройств MRAM. В проведенных испытаниях чип на основе этой технологии смог достичь точности 98% в классификации написанных от руки цифр и 93% точности в распознавании лиц на картинках.
