Samsung начинает массовое производство чипов мобильной памяти DDR3 объемом 4 Гбит
Компания Samsung Electronics объявила о старте массового производства новейших 4-Гбит чипов памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу.
Выпуск DRAM-памяти, каждая ячейка которой состоит из связанных транзистора и конденсатора, намного сложнее производства флэш-памяти типа NAND с одним транзистором, поэтому традиционно объемы DRAM-чипов заметно уступают объемам чипов флэш-памяти. Чтобы справиться с этой сложной задачей, Samsung использует новейшие технологии двойного шаблона и атомно-слоевого осаждения. Это не только позволило компании выпускать чипы памяти DDR3 по 20-нм техпроцессу, используя существующую иммерсионную ArF-литографию (литография с использованием эксимерных лазеров на фториде аргона, работающих в диапазоне жесткого ультрафиолета), но и сделает возможным производство следующего поколения DRAM по техпроцессу класса 10 нм в будущем. Кроме того, Samsung добилась беспрецедентной однородности нанесения сверхтонких диэлектрических пленок конденсаторов, что дополнительно улучшило эффективность памяти.
Одновременно Samsung повысила эффективность производства: для новых чипов она на 30% выше, чем для DDR3 по 25-нм техпроцессу, и вдвое больше по сравнению с DDR3 по 30-нм техпроцессу. Показатели энергоэффективности чипов на 25% опережают характеристики мобильной памяти, изготовленной по 25-нм техпроцессу.
«Новые модули памяти способствуют активному развитию рынка, в первую очередь, сегментов ПК и мобильных устройств, — говорит Ён Хюн Чун (Young Hyun Jun), исполнительный вице-президент направления Memory Sales & Marketing компании Samsung Electronics. — Samsung продолжит активную работу над выпуском мобильной памяти нового поколения и разработкой «зеленых» решений, отвечая на рост мирового ИТ-рынка и актуальные запросы пользователей».
Согласно исследованиям компании Gartner, мировой рынок мобильной памяти увеличится с $35,6 млрд в 2013 г. до $37,9 млрд в 2014 г.
© CNews
