Intel удвоила емкость фазовой памяти
Компания Intel удвоила емкость экспериментальной фазовой памяти. Для этого ученым не пришлось добавлять новых ячеек. Каждая из существующих ячеек хранит по два бита данных вместо одного прежде, сообщает TechnologyReview.com.
Для изготовления такой памяти был использован халькогенид или GST, материал, меняющий свое физическое состояние под воздействием температуры. По словам разработчиков, этот материал способен находится в четырех состояниях, то есть хранить 2 бита данных. Для того чтобы определить, какое количество тепла необходимо сообщить каждой из ячеек, был использован специальный алгоритм.
Ожидается, что фазовая память придет на замену флэш-памяти, так как, включая ее преимущества, предлагает более высокую скорость работы, сравнимую с DRAM или SRAM.
Новая память была изготовлена совместно с коллегами из SM Microelectronics. Технология была продемонстрирована на конференции ISSCC в Сан-Франциско.
© CNews
