Восьмое поколение Intel Core останется на техпроцессе 14 нм
Компания Intel официально объявила, что восьмое поколение процессоров Core по-прежнему будет производиться по технологическому процессу 14 нм. Intel предпочитает позиционировать это поколение как »14 нм+», подчёркивая технические улучшения:
- улучшенное напряжение канала (channel strain);
- улучшенный профиль (fin profile);
- интеграция дизайна и производства.
Благодаря улучшению техпроцесса удалось добиться значительной прибавки в производительности, которая составит более 15% по тесту SysMark. Таким образом, в этом году производительность процессоров Core i7 вырастет больше, чем в прошлом. Это показано на слайде из презентации вверху под заголовком «Продвижение закона Мура на 14 нм».
Новое поколение процессоров на усовершенствованной платформе 14 нм запланировано к выходу на вторую половину 2017 года. Они будут обозначены как семейство Core i7/i5/i3–8000 и заменят существующее семейство 7-го поколения.
На презентации для инвесторов Intel ничего не говорила о планах выпуска семейства Cannonlake (прежнее название Skymont) — микропроцессоров на 10-нм технологическом процессе. Предполагается, что они должны выйти в конце 2017 года, а рабочий образец Cannonlake на 10 нм показывали недавно на выставке CES. Именно семейство Cannonlake ранее позиционировалось как 8-е поколение процессорной архитектуры, которое сменит Skylake в рамках стратегии «тик-так». Теперь же появилось ещё одно семейство, которое не имеет ничего общего с Cannonlake. Возможно, это попытка продать старый продукт в новой упаковке.
По имеющейся информации, планы Intel по выпуску Kaby Lake-X, Skylake-X и Cannonlake во второй половине 2017 года остаются неизменными, несмотря на появление вышеупомянутого нового семейства Core i7/i5/i3–8000. Пока не совсем понятно, в какую именно из планируемых продуктовых линеек следует позиционировать новое семейство процессоров для десктопов.
Возможно, новое семейство является неким переходным этапом перед выпуском Coffee Lake, которое пока планируется на I кв. 2018 года. Некоторые специалисты предполагают, что к такому шагу Intel могли подтолкнуть действия AMD, которая собирается в марте 2017 года вывести на рынок линейку процессоров Ryzen.
Intel неизменно придерживалась стратегии «тик-так» с 2006 года. С тех пор каждые два года она выпускала процессоры по новому техпроцессу, значительно увеличивая количество транзисторов на кристалле. Каждый переход на новый техпроцесс обозначался как «тик», а последующее улучшение микроархитектуры с тем же техпроцессом — «так». Гигант полупроводниковой промышленности десять лет работал как часы, выдавая новые архитектуры без сбоев.
Год | Кодовое название микроархитектуры | Техпроцесс | «Тик» или «так» |
---|---|---|---|
2006 | 65 нм | P6, NetBurst | «тик» |
2006 | 65 нм | Core | «так» |
2008 | 45 нм | Penryn | «тик» |
2009 | 45 нм | Nehalem | «так» |
2010 | 32 нм | Westmere | «тик» |
2011 | 32 нм | Sandy Bridge | «так» |
2012 | 22 нм | Ivy Bridge | «тик» |
2013 | 22 нм | Haswell | «так» |
2014 | 14 нм | Broadwell | «тик» |
2015 | 14 нм | Skylake | «так» |
2016 | 14 нм | Kaby Lake | «так» |
Похоже, что в 2016 годах «часы» Intel немного закоротило на 14 нм, и компания объявила об отказе от этой стратегии.
В принципе, ничего страшного в этом нет. Повторим, в этом году рост производительности чипов (более 15%) будет даже больше, чем в прошлом (15%), сказала Intel. Может быть, действительно лучше выжимать весь резерв из существующего техпроцесса, оптимизируя его, а уже потом двигаться дальше. Мы не можем критиковать Intel за отход от стратегии, которую она сама себе добровольно установила.
Так или иначе, но теперь стратегия «тик-так» модифицировалась в иной вид.
Вместо размеренного метронома теперь реализована новая процедура с большим упором на оптимизацию. Возможно, новая архитектура не будет выходить каждые два года, как это было раньше.
Почему Intel не форсирует переход на 10 нм? Ей не нужно этого делать, потому что она считает, что и так сильно оторвалась в своём технологическом превосходстве от конкурентов в полупроводниковой промышленности (Samsung, TSMC и прочие). Компания оценивает этот отрыв примерно в три года.
Такой запас позволяет чувствовать себя вполне уверенно.
Светлое будущее закона Мура должен обеспечить новый завод Intel Fab 42, который сможет обеспечить производство по техпроцессу 7 нм.
Строительство и оборудование займёт ещё три-четыре года и потребует значительных инвестиций. Завод в Чандлере (штат Аризона) уменьшит количество местных безработных примерно на 3000 человек (+ ещё 10 000 рабочих мест добавится косвенно).
Строительство завода в Чандлере началось в 2011 году. Он должен стать самым передовым и инновационным полупроводниковым предприятием в мире. Само здание закончили в 2013 году, но вместо установки оборудования на 14 нм в начале 2014 года компания Intel решила отложить запуск конвейера. В данный момент завод готов: системы воздушного кондиционирования, обогрева и другие — всё функционирует, осталось только установить и наладить оборудование. Intel не планирует задействовать эту фабрику для производства по техпроцессу 10 нм, так что через несколько лет здесь, вполне вероятно, освоят производство по следующей норме 7 нм.
По оценке Intel, оборудование обойдётся примерно в $7 млрд. Такова стоимость современного промышленного предприятия. Пока неизвестно, какое конкретно оборудование понадобится. Возможно, Intel там начнёт использовать фотолитографию в глубоком ультрафиолете (EUV).
В заре двухтысячных Intel надеялась, что к 2005 году частоты процессоров вырастут до 10 ГГц, а работать они будут под напряжением ниже вольта. Как мы знаем, этого не случилось. Примерно десять лет назад перестал работать закон масштабирования Деннарда, утверждавший, что с уменьшением размеров транзисторов можно уменьшать подаваемое на затвор напряжение и увеличивать скорость переключения. С тех пор редко какой процессор получает штатную частоту работы выше 4 ГГц, зато ядер стало больше, на кристалл с материнской платы перекочевал северный мост, появились другие оптимизации и ускорения. Теперь замедляется и закон Мура, эмпирическое наблюдение, которое говорит о постоянном увеличении числа транзисторов на кристалле за счёт уменьшения их размеров.