Samsung начинает массовое производство 14-нм DRAM с технологией EUV
Samsung объявила о начале массового производства самой маленькой в отрасли, 14-нанометровой памяти DRAM, которая основана на технологии фотолитографии в глубоком ультрафиолете (EUV).
Первую в отрасли EUV DRAM Samsung представила в марте 2020 года, а теперь увеличила количество слоев EUV до пяти. Старший вице-президент и руководитель отдела продуктов и технологий DRAM в Samsung Electronics Джуен Ли отмечает, что многослойный EUV-фильтр позволил добиться миниатюризации на 14 нм.
«Основываясь на этом прогрессе, мы продолжим предлагать наиболее дифференцированные решения для памяти, полностью удовлетворяя потребность в большей производительности и емкости в управляемом данными мире 5G, AI и метавселенной», — сказал он.
Применив пять слоев EUV к своей 14-нм DRAM, Samsung достигла наивысшей плотности битов, увеличив при этом общую производительность пластины примерно на 20%. При этом 14-нм техпроцесс может помочь снизить энергопотребление почти на 20% по сравнению с узлом DRAM предыдущего поколения.
Благодаря стандарту DDR5 новая DRAM поможет достичь скоростей до 7,2 гигабит в секунду, что более чем вдвое превышает скорость DDR4 до 3,2 Гбит/с.
Samsung планирует увеличить плотность своих 14-нм чипов DRAM до 24 Гбайт. DDR5 отвечает потребностям требовательных к вычислениям рабочих нагрузок с высокой пропускной способностью в суперкомпьютерах, системах искусственного интеллекта и машинном обучении, а также в приложениях для анализа данных.
В августе Samsung представила 8-слойный модуль DRAM на 512 гигабайт со скоростью передачи данных 7,2 Гбит/с. Экспериментальное производство микросхем уже началось. Первые партии должны поступить в продажу до конца 2021 года.
