Идентификация быстрых термических процессов
Недавно мне удалось завершить часть работы по очень интересному проекту в ФТИ им. Йоффе и получить достаточное количество экспериментальных данных, для того чтобы поделиться с Вами.
Физики из СПб ФТИ им. Йоффе занимаются выращиванием нитрид галлиевых полупроводниковых структур, которые обладают неплохими показателями скорости носителей заряда при переходе и большим коэффициентом теплопроводности. Процесс роста такой структуры проходит при температуре 1000 С (1273 К) и атмосферном давлении. Все происходит в специальной камере, находящейся в герметичной зоне. При выращивании структуры весь объем реактора и герметичной зоны заполняется азотом. В процессе роста структуры подложкодержатель вращается с частотой один раз в секунду. Такие операции относятся к быстрым термическим процессам, скорость изменения температуры в которых варьируется от нескольких единиц до сотен градусов в секунду.
Моей задачей было управление температурой графитового подложкодержателя при помощи индуктивного нагрева.
Технические характеристики установки выглядят следующим образом. Для измерения температуры используется лазерный пирометр, снимающий данные в центре графита. Частота съема информации 10 раз в секунду, шаг измерения 1 градус. Значение мощности передаваемой графиту полагается прямо пропорциональным мощности на индукторе. У генератора управляющего индуктором имеется цифровой выход, по которому передается напряжение, ток и мощность. Читать дальше →
