Гикпорн 5 или для чего вскрывают микросхемы

Угадал автора по названию? А вот и нет, в отличии от BarsMonster мы будем вскрывать микросхему не из спортивного интереса и даже не для того что бы посмотреть как она работает. Мы будем искать почему она не работает. Иногда такое случается, особенно если технология изготовления кристаллов находится в стадии разработки, и запускаемые проекты могут быть только экспериментальными. И подобная неприятность случилась у нас. В нашем случае полученные образцы оказались не работоспособными (выход годных близок к нулю). Исследование функционирования и электрических параметров указывали на технологические проблемы изготовления кристаллов, которые нам и предстоит обнаружить.Микросхема изготовлена по технологии 180 нм. Со специальными особенностями, позволяющими на одном кристалле размещать цифровую логику с высокой плотностью и типовым питанием 1,8В и аналоговую составляющую с рабочими напряжениями до 200В. А в купе с рабочими температурами до 150–170С делает эту технологию очень востребованной в промышленной и автомобильной электронике.

Для начала мы провели послойное травление кристаллов с остановкой и полным фотографированием на каждом технологическом уровне. Уровень шестого металла MET6 (некоторые элементы фотографий скрыты).b6574629315d4ef69f0c2fb6af3da591.jpg

Уровень пятого металла MET5f06b28c2d3bd4c58836e80c322e89406.jpg

Уровень перемычек между пятым и четвертым металлами VIA458ca472c136e4def96435d3ef8cf53a6.jpg

Ну и так далее, всего мы получили около 5 ГБайт фотографий.

К сожалению даже очень аккуратнее послойное травление вызывает различные разрушения структур кристалла. И определить, что это технологический брак производства или результат препарирования очень сложно. Обычно критерием является повторяемость, если эффекты схожи на нескольких образцах, то это технологические проблемы, если же эффекты уникальны для каждого исследуемого образца, то это результат препарирования. Например, были обнаружены дефекты в районе колец питания. На уровне шестого металла они не видны, а вот начиная с пятого металла стали проявляться5f06443dd4334174ac25d60403482cbc.jpg

На уровне перемычек между пятым и четвертым металлами стали еще заметней51e90341ce6b4b9f9583645d658e5649.jpg

На уровне третьего металла уже видны отчетливоdfb5f71424a84ec1a2b2d78dc5c076bc.jpg

Но дефекты уникальны для каждого образца и пока отнесены к проблемам процесса травления

На уровне перемычек между поликремнием и первым металлом были обнаружены отсутствующие или не полностью сформировавшиеся переходные отверстия, к сожалению разрешения оптического микроскопа уже на пределе и видны они как темные пятна5cb17a8277074e779f4da59eb19bc093.jpg

Данные дефекты с большой корреляций повторялись на нескольких образцах8111934d2c4641ada0f230d0f9ccde7d.jpg

На кристалле было очень много таких «вылетевших» переходных отверстий, в основном они были в области цифрового ядра и блоков памяти. На следующие рисунке они помечены красными точками, красными прямоугольниками отмечены области поврежденные в ходе травления2099dc7158ea4107b3d84092cb553467.jpg

Как уже было отмечено ранее, оптическая микроскопия не позволяет визуально оценить состояние, и нам пришлось воспользоваться электронным микроскопом, а где электронный микроскоп, там уже не далеко и до установки FIB (Focused Ions Beam). FIB позволяет направленным пучком ионов с нанометровой точностью резать элементы кристалла или наоборот наносить новые слои на него, например соединять соседние проводники.

Мы провели рез кристалла в области, где интенсивность «вылетевших» VIA была максимальна6c6e9a951771487783bd651cc15980a6.jpg

И кажется нашли проблему, действительно на срезе не было соответствующей VIA (в данном тех процессе они обозначены как CONT). Но технологи и топологи схемы высказали сомнение, что мы попали в требуемое место. Так замечания технологов сводились к тому, что там должно было быть хоть что то, а там чистый изолятор. А топологи указали, что хотя срез очень похож на топологию, но отличается от него. В частности, на рисунке топологии переходное VIA1 и CONT не соосны, а на срезе они расположены строго друг над другом, и это нельзя списать на технологический разброс.

При более детальном анализе было обнаружено, что действительно в этом же районе, но с отступом примерно на 2 мкм расположена область полностью подходящая для данного среза и в ней действительно нет этого перехода между первым металлом и поликремнием. Мы просто попали не туда.

При повторном резе мы смогли попасть в требуемую область, и претензий к переходным окнам больше не осталось0699673b96284f03a90f17d634f02bf8.jpgКак можно заметить, теперь все фотография среза полностью повторяет топологию и VIA между различными слоями разнесены. Все переходные отверстия сформированы полностью. А причина неработоспособности кристаллов так и не найдена.

При просмотре через электронный микроскоп уровня поликремния (обозначен POLY) было замечено, что в области разделения P-канальных и N-канальных транзисторов с помощью глубокого диэлектрика (обозначен на рисунках DTI), поликремний имеет некоторое утолщение.a6bbef19253147799117838a4a6277f4.jpgНа фотографию для наглядности нанесен рисунок топологии. Но при этом каких либо разрывов или «закороток» между различными шинами поликремния не видно. Но в любом случае мы решили посмотреть что же там творится с поликремнием.Но для начала поймем, что такое поликремний (POLY) и для чего он нужен. Поликремниевые соединения это трассировочный ресурс самого нижнего уровня кристалла. Основные соединения в кристалле обеспечиваются через металлы верхних слоев. А вот соседние транзисторы одного вентиля могут быть соеденены с помощью поликремния. Для того что бы поликремний стал электропроводным его легируют (добавлением примесей фтора, бора или мышьяка), иногда весть поликремний в кристалле легированный, иногда нет. В случае когда поликремний не легированный, его проводимость достигается за счет нанесения поверх него слоя силицида (это уже соединение кремния с металлами).Так вот в нашем случае над областью глубокого диэлектрика (DTI) проводимость поликремния достигается путем нанесения на него слоя силицида (SiCo2).Для этого мы сделали еще один рез, позволяющий посмотреть структуру поликремния над глубоким и неглубоким диэлектриками.15828f0539ff47c0bc4a28c3239a649f.jpgУже на этой фотографии видно, что над поликремнием, который расположен правее DTI видна белая «шапочка» силицида, а над поликремнием непосредственно над DTI ее нет.

Приближаем7ff44dd9d2f8464da437508301c92e10.jpg

Приближаемbbf3062259174039950145c69ee6d467.jpg

И теперь по отдельности, поликремний правее DTI с силицидом87b02b232b704a89990b429163660153.jpg

И поликремний над DTI без силицида724e02569c4d4db6bee72acb1cc3201f.jpg

Вот теперь мы нашли проблему, по крайней мере она вписывается в модель сбоя кристалла. Из-за отсутствия силицида над поликремнием происходит увеличение сопротивления связей между соседними транзисторами до сотен кОм или даже МОм они начинают работать очень медленно и непредсказуемо. И хотя проблему мы обнаружили, необходимо найти решение этой проблемы. Для этого проведен анализ другой части схемы, где ширина поликремния над DTI больше чем 180 нм (минимально разрешенной и для которой мы нашли проблему). Такая область найдена, ширина поликремния в этом месте составляет 500 нм. Так же заодно определим как ведут себя перемычки CONT к поликремнию, если они расположены над DTI.При резе FIB специально получили два перпендикулярных среза, позволяющих получить полную картину состояния силицида над поликремнием над DTI.48dde8dcbe7545c8a32238f2a3a2edc7.jpgНа фото видно, что CONT подключается к POLY без проблем. А силицид сформировался над поликремнием в полном объеме. На горизонтальном порезе FIB Line 1 силицид не окрасился в белый цвет из-за того, что его продольная глубина (для потока электронов микроскопа) ~250 нм и имеет слабое отражение, в отличии от вертикального реза FIB Line2, там глубина силицида до 2000 нм и он окрасился в белый цвет. Но на горизонтальном срезе все равно отчетливо виден слой силицида. Мы как разработчики кристалла не беремся судить почему силицид не образовывается над поликремнием над DTI, если его ширина 180 нм. Фабрика изготовитель кристаллов так же пришла к аналогичному заключению, и в качестве решения проблемы запретила водить над DTI поликремниевые проводники с шириной менее 1 мкм.

© Habrahabr.ru