SK Hynix публикует детали о первом чипе DDR5
Компания SK Hynix представила детали о первой микросхеме памяти типа DDR5. Стандарт ещё не завершён Jedec, но это никогда не останавливало производителей.
Новая память должна обеспечивать удвоение пропускной способности и удвоение плотности, по сравнению с DDR4. Также будет улучшена канальная эффективность. Донкьюн Ким, конструктор микросхем в Hynix, представил спецификацию микросхемы памяти DDR5. Этот чип является 16 Гб микросхемой SDRAM, работающей со скоростью 6,4 Гб/с на контакт. Напряжение питания составляет 1,1 В, а площадь кристалла — 76,22 мм2. Чип изготавливается по 1y нм технологии.
Спецификация и микрофотография чипа DDR5 
Для уменьшения помех в микросхеме были применены ряд новых техник, включая модифицированную петлю слежения за задержками с оборотом фаз и осциллятор со слежением за подачей сигнала. Увеличению скорости памяти способствовала специальная система тренировки записи.
Немногим ранее Samsung также опубликовала документ о памяти нового типа. Ей стала 10 нм LPDDR5 SDRAM со скоростью 7,5 ГБ/с и напряжением 1,05 В.
Ожидается, что первые рыночные образцы памяти DDR5 появятся уже в конце текущего года.
Полный текст статьи читайте на nvWorld.ru
