Бег на короткие дистанции. Обзор SSD Patriot Blast 480 ГБ
Прекрасно помню, когда в 2011 году компания SandForce, тогда еще не принадлежавшая LSI, представила контроллер SF-2281. Он произвел настоящий фурор на только-только окрепшем рынке твердотельных накопителей. Процессор для SSD (именно так его называли в SandForce) оказался настолько удачным, что в скором времени на базе этой платформы появилось бесчисленное множество запоминающих устройств. Intel, Kingston, Corsair, GeIL, ADATA, Super Talent, Patriot, OCZ, G.Skill, Team Group, Mushkin, Apacer, PNY, Kingmax, SanDisk — вот неполный перечень компаний, использовавших этот чип в своих устройствах. Секрет успеха оказался весьма прост: SandForce лично следила за обновлением прошивок для своего контроллера, а вендор получал практически готовый продукт, так как продавалась референсная плата с чипами памяти. Компании без собственных производственных мощностей вздохнули с облегчением. Им не требовалось тратиться на инженеров и программистов, но оставалось только наклеить логотип на корпус устройства и разработать дизайн упаковки. «Эхо» SandForce ощущается даже сегодня, ведь накопители на SF-2281 все еще продаются.
К чему этот исторический экскурс? К нам в тестовую лабораторию прибыл SSD от американской компании Patriot. Серия Blast базируется на контроллере Phison PS3110-S10. К 2016 году с этим чипом на борту выпущен не один десяток твердотельных накопителей. Но сможет ли новая платформа повторить успех SandForce?
Patriot Blast
Особенности контроллера Phison S10
Контроллер PS3110-S10 не появился из ниоткуда. Это эволюция 8-канального чипа PS3108-S8 — весьма слабого процессора, страдающего крайне низкой скоростью случайного чтения. S10 получил четыре ядра, одно из которых обрабатывает команды, поступающие через интерфейс SATA, а три остальных работают непосредственно с ячейками памяти. Получается, что четверть вычислительной мощи процессора отведена для алгоритмов выравнивания износа ячеек и сборки мусора. PS3110-S10 работает в паре с быстрой буферной памятью стандарта DDR3–1600. Из полезных опций отмечу поддержку 256-битного AES-шифрования и наличие спецификации OPAL 2.0.
Контроллер поддерживает технологию кэширования, когда часть массива памяти работает в SLC-режиме. Опытным путем доказано, что используется приблизительно 3% от общего объема накопителя.
Контроллер Phison PS3110-S10
Аналогия PS3110-S10 с SF-2281 напрашивается сама собой, стоит лишь изучить результаты производительности твердотельного накопителя в CrystalDiskMark. Как известно, процессор SandForce выдавал разную производительность при работе с сжимаемыми/несжимаемыми данными. Зачастую файлы очень хорошо поддаются компрессии и дедупликации. Использование алгоритмов сжатия приводит к использованию меньшего количества ячеек (следовательно, меньшему количеству операций записи). Высвободившаяся память пользователю недоступна, она идет на общее выравнивание износа. А вот производительность реально увеличивается. В некоторых случаях до трех раз.
Контроллер Phison не умеет сжимать данные, но микропрограмма обучена анализировать содержание данных на предмет наличия пустых блоков, состоящих из нулей. Запись такого блока не производится, лишь помечается существование его в таблице-ретрансляторе. В результате скорость случайного чтения 4-килобайтных блоков увеличивается где-то в четыре раза.
Технические характеристики и особенности конструкции
Линейка Blast состоит из четырех моделей объемом 120 Гбайт, 240 Гбайт, 480 Гбайт и 960 Гбайт соответственно. Накопители имеют схожий уровень производительности. Например, вся серия обеспечивает скорость линейного чтения до 560 Мбайт/с. Такой скоростью не может похвастать даже Samsung 850 Pro. Лишь младшая модель с маркировкой PBT120GS25SSDR получила откровенно низкое быстродействие при последовательной записи. Сказывается меньший уровень параллелизма, ведь Phison PS3110-S10 — это 8-канальный контроллер.
Еще один плюс линейки Blast — большое количество времени наработки на отказ. У конкурентов на 500 000 часов меньше.
Patriot Blast |
||||
Интерфейс |
SATA 3.0, 2,5», 7 мм |
|||
Маркировка модели |
PBT120GS25SSDR |
PBT240GS25SSDR |
PBT480GS25SSDR |
PBT960GS25SSDR |
Объем |
120 Гбайт |
240 Гбайт |
480 Гбайт |
960 Гбайт |
Память |
Toshiba, 128 Гбит, TLC |
|||
Контроллер |
Phison PS3110-S10 |
|||
Буферная память |
256 Мбайт |
512 Мбайт |
1024 Мбайт |
|
Максимальная скорость последовательного чтения/записи |
560/425 Мбайт/с |
560/530 Мбайт/с |
560/540 Мбайт/с |
|
Максимальная скорость произвольных чтения/записи |
100 000/14 000 IOPS |
100 000/23 000 IOPS |
100 000/32 000 IOPS |
100 000/38 000 IOPS |
Время наработки на отказ |
2 000 000 часов |
|||
Гарантия |
3 года |
|||
Цена |
3500 руб. |
6000 руб. |
12 000 руб. |
21 900 руб. |
Купить |
|
|
|
|
Чуть не забыл: Phison PS3110-S10 — это бюджетный контроллер. Поэтому максимальному удешевлению устройства способствует отсутствие какой-либо комплектации. Вообще.
Упаковка Patriot Blast PBT480GS25SSDR
Накопитель стандартный, изобретать велосипед для 2,5-дюймового форм-фактора нет никакого смысла. Металлический корпус толщиной 7 мм способствует тому, что SSD поместится в большинство ноутбуков, оснащенных интерфейсом SATA. Каркас вообще не имеет никакого винтового крепления. Верхняя и нижняя части держатся за счет специальных выемок по краям. Поэтом разобрать SSD не представляет никакой сложности.
Patriot Blast PBT480GS25SSDR
Печатная плата референсная. Точно такую же архитектуру можно встретить и в других устройствах с PS3110-S10. То есть Patriot закупила у Phison не только контроллер, но и печатную плату вместе с памятью. Про основные особенности процессора я уже рассказал. Ему в помощь отряжен чип памяти стандарта DDR3–1600 объемом 512 Мбайт. Судя по маркировке, произвела микросхему компания Kingston, но у этой компании нет своего завода. Есть только оборудование, позволяющее закупать пластины и самостоятельно разрезать их на чипы, упаковывать и маркировать под собственным именем. Видимо, произошла двойная продажа.
Чипы памяти — их распаяно восемь штук — получили необычную маркировку TT69G5PARA. Серийник не пробивается в поисковике. Практика показывает, что подобным образом маркируются микросхемы производства компании Toshiba. В нашем случае характеристики следующие: тип — TLC; память произведена по 19-нм техпроцессу. Все это только подтверждает мои догадки. Phison заботится о своих клиентах, лично заказывая готовые пластины. Затем платформер разрезает их на микросхемы, упаковывает и маркирует их. Так выходит дешевле. Еще один бюджетный ход — отказ от BGA-пайки в пользу TSOP-корпусировки (в простонародье — «многоножка»).
Тестирование
Тестовый стенд:
- Процессор: Intel Core i7–4790K
- Процессорный кулер: ENERMAX LIQTECH 240
- Материнская плата: MSI Z97 MPOWER
- Оперативная память: DDR3–2133, 2×8 Гбайт
- Накопитель: Patriot Blast PBT480GS25SSDR
- Блок питания: Corsair HX850i, 850 Вт
- Периферия: Samsung U28D590D, ROCCAT ARVO, ROCCAT SAVU
- Операционная система: Windows 8.1×64
Как я уже сказал, накопители Blast обладают очень высокими заявленными линейными скоростями чтения и записи. Величины соответствуют действительности. Начиная с 64 Кбайт, PBT480GS25SSDR выходит на пик своей производительности.
Patriot Blast PBT480GS25SSDR. Последовательные чтение/запись (ATTO)
Patriot Blast опережает даже более дорогой накопитель Samsung 850 PRO. Как видите, контроллер и SLC-кэширование дают свои плоды: в самом легком режиме (линейные чтение/запись) PS3110-S10 нет равных.
Patriot Blast PBT480GS25SSDR. Последовательные чтение/запись (IOMeter)
Однако переход к случайным однопоточным операциям с 4-килобайтными блоками кардинальным образом меняет ситуацию. Здесь PBT480GS25SSDR заметно уступает и 850 EVO, и 850 PRO. Проиграть «прошке» не зазорно — разница в цене между этими SSD серьезная. А вот 850 EVO — самый настоящий конкурент.
Впрочем, прогресс, как говорится, налицо: PS3110-S10 заметно прибавил в работе со случайными чтением/записью. PS3108-S8 в свое время «радовал» быстродействием на уровне 12–15 Мбайт/с. Плюс не забываем, что чип Phison эффективнее работает со сжимаемыми данными.
Patriot Blast PBT480GS25SSDR. Случайные чтение/запись (IOMeter)
Patriot Blast PBT480GS25SSDR. Случайные чтение/запись (CrystalDiskMark)
Patriot Blast PBT480GS25SSDR. Случайные чтение/запись (CrystalDiskMark)
В операциях смешанной линейной нагрузки Blast PBT480GS25SSDR вновь уступил 850 EVO.
Patriot Blast PBT480GS25SSDR. Смешанная нагрузка (IOMeter)
Хуже всего накопитель проявил себя в PCMark 7 — в бенчмарке, который имитирует повседневную деятельность пользователя. О соперничестве с 850 EVO речи не идет. Отставание колоссальное. В то же время Phison PS3110-S10 умудрился уступить даже доисторическому SF-2281. А ведь этому контроллеру исполнилось 5 лет.
Patriot Blast PBT480GS25SSDR. Производительность в PCMark 7 (паттерны)
Правда, в паттернах IOMeter, разработанных совместно с Intel, Blast PBT480GS25SSDR оказывается не так плох. До 850 EVO/PRO не дотягивается, но опережает SSD на чипе SandForce и не уступает все еще актуальному Plextor M6 Pro с контроллером Marvell 88SS9187.
Patriot Blast PBT480GS25SSDR. Производительность в IOMeter (паттерны)
Интересная ситуация получается, правда? С одной стороны, Blast PBT480GS25SSDR оказался очень быстрым в линейных операциях чтения и записи. С другой стороны, откровенно хромает производительность при случайном доступе к накопителю. К тому же SSD на PS3110-S10 откровенно провалился в PCMark 7. В чем может быть дело? Все очень просто. SLC-кэширование дает великолепный прирост быстродействия. Накопитель, пока хватает зарезервированного под буферную технологию места, реально шустрит. Как только кэш заполняется, то скорость работы заметно уменьшается. Это легко доказать при помощи встроенного теста AIDA64. Особенно серьезно скорость падает при записи. График показывает, что с заявленных 530 Мбайт/с быстродействие моментально скатывается до 180 Мбайт/с. И это характерно для всех накопителей на контроллере Phison PS3110-S10 и памяти TLC. Скорость чтения страдает меньше, но падение наблюдается и здесь: с 560 Мбайт/с до 460 Мбайт/с. Модели с чипами MLC (например, Silicon Power S80) работают стабильнее.
В итоге Blast PBT480GS25SSDR и прочие SSD, использующие платформу Phison и память TLC, чем-то напоминают спринтеров. На «короткой дистанции» производительность впечатляет. В более сложных условиях накопители тут же «сдуваются».
Конкуренты и аналоги
Аналогов у линейки Patriot Blast предостаточно, ведь мы имеем дело с платформером, который берет на себя большую часть работы. OCZ, Kingston, Sony, GoodRAM, Corsair, SmartBuy, Silicon Power — вот неполный перечень компаний, выпускающих накопители с контроллером PS3110-S10.
К конкурентам можно отнести накопители на контроллере Silicon Motion SM2256K. Это ADATA Premier SP550 и Crucial BX100. И SSD от Samsung — серии 750 EVO и 850 EVO.
Patriot Blast PBT480GS25SSDR |
OCZ Trion 100 TRN100–25SAT3–480G |
Samsung 850 EVO MZ-75E500BW |
|
Объем |
480 Гбайт |
480 Гбайт |
500 Гбайт |
Память |
Toshiba, 128 Гбит, TLC |
Toshiba, 128 Гбит, TLC |
Samsung, 128 Гбит, TLC V-NAND |
Контроллер |
Phison PS3110-S10 |
Phison PS3110-S10 |
Samsung MGX |
Буферная память |
512 Мбайт |
512 Мбайт |
512 Мбайт |
Максимальная скорость последовательного чтения/записи |
560/540 Мбайт/с |
550/530 Мбайт/с |
540/520 Мбайт/с |
Максимальная скорость произвольных чтения/записи |
100 000/32 000 IOPS |
54 000/3200 IOPS |
98 000/90 000 IOPS |
Гарантия |
3 года |
3 года |
5 лет |
Цена |
12 000 руб. |
12 100 руб. |
12 400 руб. |
Купить |
|
|
|
Аналог — OCZ Trion 100. Накопитель основан на том же контроллере, используется точно такая же TLC-память от Toshiba. Заявленная производительность у Patriot Blas несколько выше, но по факту оба SSD демонстрируют одинаковое быстродействие.
OCZ Trion 100 TRN100–25SAT3–480G
Конкурент — Samsung 850 EVO. Как показало тестирование, у этого накопителя нет серьезных просадок после исчерпания лимита SLC-кэша. В итоге при схожей цене накопитель от корейского производителя заметно опережает Patriot Blast.
Samsung 850 EVO MZ-75E500BW
В заключение
Тестирование показало, что контроллер Phison PS3110-S10 не обладает какими-либо выдающимися качествами. Да, в рамках SLC-кэша и интерфейса SATA 3.0 Blast PBT480GS25SSDR оказался нереально быстр при выполнении последовательных операций чтения и записи. Но накопитель откровенно пасует в более сложных ситуациях. Вот и получается, что при равной стоимости Patriot Blast PBT480GS25SSDR уступает Samsung 850 EVO MZ-75E500BW.
Актуально (конкурентоспособно) смотрятся накопители на 120 Гбайт и 240 Гбайт. Так, модель Patriot PBT120GS25SSDR стоит в среднем 3400 рублей, а Samsung MZ-75E120BW — 4500 рублей. Разница в 1100 рублей — существенная.
Когда ты используешь чью-то разработку, которой не гнушаются пользоваться и другие, есть три способа оказаться в плюсе. Первый вариант — выехать на бренде. В США марка Patriot звучит гордо, ведь американская компания уже давно продает под своим именем оперативную память и твердотельные накопители. В России «Патриот» тоже известен, но в гораздо меньшей степени. Второй вариант — предложить вместе с SSD что-то необычное: интересный комплект поставки, полезный софт. Вы убедились сами, что ничего этого у Blast PBT480GS25SSDR нет. Третий вариант — демпинговать, предлагая, по сути, то же самое, но по меньшей цене.
Patriot Blast PBT480GS25SSDR |
|
Плюсы: |
Минусы: |
|
|
Полный текст статьи читайте на Ferra.ru