Samsung обвинили в краже патентов на технологию FinFET транзисторов
С декабря 2016 года в Федеральном суде Далласа, штат Техас, шло рассмотрение дела о незаконном использовании компанией Samsung Electronics патентов на технологию транзисторов с вертикальными затворами FinFET. В конце прошлой недели, как сообщает информагентство Bloomberg, суд присяжных вынес против компании обвинительный приговор, обязав заплатить истцу $400 млн. В Samsung считают приговор несправедливым и будут подавать апелляцию.
Иск против Samsung подал американский филиал KAIST IP одноимённого южнокорейского института Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST). Со слов KAIST, компания Samsung работала с учёными учреждения над технологией FinFET и воспользовалась плодами трудов без лицензирования. Более того, Samsung якобы не интересовалась FinFET до того момента, как компания Intel объявила о завершении аналогичных изысканий и о запуске собственной программы лицензирования FinFET.
В Samsung не отрицают, что над технологией FinFET работали вместе с KAIST. Но в компании подвергли сомнению утверждение о краже патентов и вообще усомнились в правомочности патентов института на данную технологию. Надо сказать, что в этом что-то есть. Технологию FinFET стали серьёзно рассматривать в качестве альтернативы планарным транзисторам к началу 2000 года. Через два года началась фаза опытного производства структур и только через 10 лет — в 2012 году — компания Intel приступила к коммерческому выпуску 22-нм процессоров с использованием FinFET транзисторов. Этими структурами интересовались все производители чипов, включая Samsung. Вряд ли у кого-то есть условно говоря блокирующий пакет патентов. Посмотрим, что произойдёт с апелляцией Samsung, хотя решение по ней также может затянуться на годы.
