Модули оперативной памяти Samsung на 50-нм чипах прошли ратификацию
Представители Samsung анонсировали ратификацию модулей оперативной памяти DDR2 емкостью 1 Гбайт, чипы которой выполнены по нормам 50 нм техпроцесса. Процесс ратификации производился компанией Intel.
Как сообщают источники редакции THG.ru, 50 нм техпроцесс должен стать основным в производстве чипов оперативной памяти стандарта DDR2 в первой половине 2008 года. Впрочем, производство чипов DDR3, GDDR4 и GDDR5 также будет со временем переведено на новый техпроцесс.
