• новости
• статьи
• блоги
• файлы
• пресс-релизы

Южнокорейская компания SK hynix на этой неделе напомнила, что сильна не только в сфере HBM, но и готова совершенствовать технологии выпуска памяти типа NAND. Она уже приступила к серийному производству первых в мире 321-слойных микросхем памяти 4D NAND. Их в терабитном исполнении клиенты компании начнут получать уже в следующем полугодии.

Источник изображения: SK hynix

В июне прошлого года SK hynix первой начала поставки 238-слойной NAND, а теперь первой среди конкурентов преодолевает планку в 321 слой памяти. Выпускать её можно будет с использованием существующего оборудования, но при этом выход по ёмкости увеличится на 59%. Скорость передачи информации увеличена на 12%, на скоростях чтения заметен прогресс в 12%, а энергозатраты на этих операциях снизились более чем на 10%. По словам представителей SK hynix, такая память удачно впишется в состав скоростного твердотельного накопителя для систем искусственного интеллекта.