Samsung внедрит подвод питания с оборотной стороны кремниевой пластины в рамках 2-нм техпроцесса
Ближе к 2027 году.
По информации Bloomberg, на очередном симпозиуме для клиентов своего контрактного бизнеса южнокорейская компания Samsung Electronics рассказала о планах по освоению 2-нм техпроцесса. Прежде всего, во второй половине текущего года компания начнёт выпуск чипов с использованием 3-нм техпроцесса второго поколения.
![samsung_02.jpg](https://st.overclockers.ru/images/news/2024/06/13/samsung_02.jpg)
Источник изображения: Samsung Electronics
Как и в первом поколении, этот техпроцесс будет использовать структуру транзисторов с окружающим затвором (GAA). Во втором поколении 2-нм техпроцесса, которое будет освоено к 2027 году, Samsung собирается попутно внедрить и подвод питания к оборотной стороне кремниевой пластины. Компания Intel собирается подобную методику применить уже в этом году при освоении техпроцесса Intel 20A, а TSMC предпочитает дождаться 2026 года, когда нормы производства продвинутся за пределы 2 нм в сторону уменьшения.
Кстати, к 2027 году Samsung рассчитывает начать и выпуск 1,4-нм продукции, так что прогресс будет наблюдаться параллельно сразу на нескольких направлениях. Samsung рассчитывает привлечь новых клиентов из числа разработчиков чипов для систем искусственного интеллекта. К 2028 году их количество должно вырасти в пять раз, а профильная выручка увеличится в девять раз.
overclockers.ru прочитано 2896 раз