Yangtze Memory пропустит этап производства 96-слойной 3D NAND и перейдёт на 128-слойную
Если ты опаздываешь, переходи с бега на прыжки. Так, китайская компания Yangtze Memory Technology (YMTC) решила пропустить этап производства 96-слойных микросхем 3D NAND и сразу перейти с выпуска 64-слойной флеш-памяти на 128-слойную.
Память с 96-слоями сегодня становится новым видом продукции, на который начинают переходить лидеры отрасли — компании Toshiba, Western Digital, Samsung, Intel и Micron (SK Hynix начнёт выпускать 96-слойную память только в новом году). Что касается китайцев, то они пока лишь завершили разработку 64-слойной 3D NAND и начнут выпускать таковую в промышленных масштабах в третьем или четвёртом квартале следующего года. Зато к выпуску 128-слойной памяти компания YMTC рассчитывает приступить в 2020 году, что приблизит её к технологическому уровню западных конкурентов.
Производство памяти 3D NAND на заводе Yangtze Memory стартовало в этом году. Компания YMTC, напомним, была создана летом 2016 года как дочернее предприятие холдинга Tsinghua Unigroup и производителя чипов из города Ухань компании XMC (Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Corp). Инвесторами проекта также стали фонды National IC Industry Investment Fund и Hubei Local IC Funds. В 2017 году YMTC сообщила о завершении разработки 32-слойной 64-Гбит 3D NAND, которую и начала выпускать в ограниченных объёмах во второй половине текущего года.
Также во второй половине этого года Yangtze Memory завершила разработку 64-слойной 3D NAND ёмкостью 128-Гбит. Производство этой памяти станет первым по-настоящему массовым выпуском китайской 3D NAND, но оно начнётся не раньше, чем через год и обещает достичь объёмов 100 000 пластин в месяц. Именно с этого момента YMTC рассчитывает начать получать прибыль, тогда как сейчас ограниченное производство 32-слойной 3D NAND приносит ей одни лишь убытки.
Кстати, не следует воспринимать сравнительно небольшие ёмкости китайских кристаллов памяти 3D NAND слишком критично. Для производства национальной 3D NAND китайцы разработали интересную технологию Xtacking. Эта технология будет применена при производстве 64-слойных микросхем. Разработка представляет собой технологию электрического и физического соединения двух кристаллов — одного с массивом памяти, а другого с контроллером — уже после изготовления каждого из них на разных пластинах и даже в разных техпроцессах. Это упростит производство и позволит, например, создавать управляющую электронику с более передовым техпроцессом, чем массив ячеек NAND, а также открывает путь к стековой компоновке массивов ячеек.
