Власти США определились с критериями новых технологических ограничений против КНР
Не больше 128 слоёв в памяти 3D NAND и не менее 18 нм при производстве оперативной памяти.
Агентству Reuters стали известны особенности новых экспортных ограничений, которым подвергнутся компании, выпускающие на территории Китая полупроводниковую продукцию. В отношении именно китайских компаний будут действовать более жёсткие ограничения, чем в отношении зарубежных производителей, располагающих предприятиями на территории КНР. По сути, это позволит тем же корейским Samsung Electronics и SK hynix рассчитывать на получение от властей США экспортных лицензий, позволяющих поставлять в Китай на свои предприятия необходимое производственное оборудование.
Источник изображения: Reuters
В общем же случае США хотят запретить поставку на территорию Китая оборудования, позволяющего изготавливать микросхемы памяти по технологии 18 нм или более «тонким», либо интегральные схемы по технологии 14 нм или более «тонкой». Твердотельная память тоже подвергается влиянию этих ограничений — количество слоёв в микросхеме не должно превышать 128 штук. Можно с уверенностью утверждать, что китайские компании YMTC и CXMT, которые занимаются выпуском микросхем в Китае, соответствующее оборудование более получать не смогут. Для корейских же производителей будут сделаны послабления, но и в этом случае потребуется согласовывать поставки с американскими регуляторами, даже если оборудование отгружается из третьих стран.
