В России разработали диоды нового поколения на основе оксида галлия
Инженерные коллективы мирового уровня ведут разработку полупроводниковых устройств на основе оксида галлия. Такие изделия существенно опережают аналоги из нитрида галлия и кремния. Их можно применять в высокопроизводительной электронике. Сотрудники Томского государственного университета (ТГУ) тоже занимаются решением этой непростой технической задачи. Первые лабораторные экземпляры уже успешно прошли начальные тесты, говорится на сайте учебного заведения
«Оксид галлия представляет собой четвертое поколение полупроводников, которые обладают устойчивостью к высокому напряжению, низким расходом энергии и меньшим размером. Лидером в их разработке сейчас является Китай, но в России подобные исследования тоже проводятся. Страна нацелена на технологическую независимость, потому государство активно поддерживает разработки, связанные с развитием компонентной базы», — комментирует автор проекта, аспирант РФФ ТГУ, сотрудник лаборатории микроэлектроники мультиспектральной квантовой интроскопии Центра «Перспективные технологии в микроэлектронике» ТГУ Никита Яковлев.
Отечественные диоды характеризуются пробивным напряжением более 1000 вольт. Сейчас разработчики сосредоточены на усовершенствовании производственного процесса. В частности, необходимо доработать технический маршрут отдельных операций, чтобы увеличить выход готовых диодов с барьером Шоттки. «Потенциальная область применения таких диодов очень широкая: они могут быть использованы для производства энергоэффективных зарядных устройств, высокомощных блоков питания, схем управления электродвигателями автомобилей и в другой силовой электронике», — заключает автор проекта.
Центр «Перспективные технологии в микроэлектронике» при ТГУ выступает ведущим российским научным центром, специализирующимся на разработке технологий полупроводниковых сенсоров ионизирующего излучения для систем мультиспектральной цифровой радиографии. Сегодня на базе Центра ведутся интенсивные работы по созданию и производству радиационно-стойких сенсоров. Они предназначены для установки на новейших источниках синхротронного излучения четвертого поколения, например, российских СКИФ, РИФ, КИСИ, СИЛА.
Ранее в России создали компактную взрывную пушку. Рассказали, зачем она нужна.
