Улучшенная версия 7-нм техпроцесса TSMC поднимет быстродействие на 5%
До сих пор публичного упоминания удостаивалась так называемая версия техпроцесса »7 нм+», которая подразумевает использование литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV), но автор публикации на страницах WikiChip Fuse утверждает, что у TSMC заготовлена и промежуточная версия 7-нм техпроцесса (N7P), которая не использует EUV, но при этом способна демонстрировать прирост быстродействия транзисторов на 5% относительно технологии первого поколения.
Это означает, что в течение жизненного цикла тех же 7-нм продуктов AMD могут выйти новые ревизии, которые поднимут частотный потенциал или снизят энергопотребление. Разумеется, со временем продукция AMD будет переведена и на 7-нм технологию нового поколения с использованием EUV, но это дело более отдалённого будущего, которое потребует масштабной и дорогой смены производственного оборудования TSMC.
Попутно автор исходной публикации поясняет, что скорость снижения плотности дефектов при освоении 7-нм технологии первого поколения у TSMC была рекордно высокой. Для крупных кристаллов плотность дефектов сейчас приближается к показателям 16-нм техпроцесса, и она ниже, чем у 10-нм изделий TSMC.
