TSMC о 6 нм: это техпроцесс не для всех
Компания TSMC каждый квартальный отчёт использует для информирования инвесторов о темпах освоения новых литографических технологий, и вчерашнее мероприятие не стало исключением. Уже пошёл второй год жизненного цикла 7-нм техпроцесса, и освоено массовое производство изделий с использованием второго поколения этого техпроцесса, подразумевающего применение EUV-литографии. Уровень выхода годной продукции по техпроцессу 7-нм+ достиг аналогичного показателя для первого поколения 7-нм техпроцесса. Новый техпроцесс обеспечивает увеличение плотности размещения транзисторов на 15–20% при сниженном на 10% энергопотреблении по сравнению с первой ступенью 7-нм технологии. Уровень быстродействия в этом сравнении остаётся неизменным, но если пожертвовать энергопотреблением, то его можно поднять.
реклама
реклама
Опытное производство с применением 5-нм технологии TSMC тоже освоила. В рамках этого техпроцесса будет расширено применение EUV-литографии, массовое производство соответствующих изделий будет запущено в первой половине следующего года. Плотность размещения транзисторов удастся увеличить на 80% по сравнению с 7-нм техпроцессом, скорость переключения транзисторов вырастет на 20%. Как ожидает TSMC, её 5-нм техпроцесс окажется лучшим в отрасли по сочетанию плотности размещения транзисторов, быстродействия и энергопотребления. Напомним, что руководство Intel намеревается достичь сопоставимых показателей в рамках своего 7-нм техпроцесса.
Промежуточным звеном является так называемый 6-нм техпроцесс. Его клиенты TSMC смогут использовать для улучшения характеристик продуктов без перехода на 5-нм технологию. На уровне средств разработки 6-нм техпроцесс на 100% совместим с 7-нм техпроцессом, это ускорит подготовку соответствующих продуктов к массовому производству. Если сравнивать с техпроцессом 7-нм+, в рамках которого TSMC впервые будет использовать EUV-литографию, то 6-нм техпроцесс получит один дополнительный слой, требующий использования EUV. Этого окажется достаточно, чтобы увеличить на 18% плотность размещения транзисторов. Площадь кристалла при неизменных характеристиках процессора при переходе на 6 нм удастся уменьшить, а это положительно скажется на его себестоимости для клиента. Опытное производство 6-нм изделий будет начато в следующем квартале, массовое будет развёрнуто к концу 2020 года.
реклама
Использовать 6-нм техпроцесс будут те клиенты TSMC, которым миграция на 5 нм покажется слишком сложной и дорогой. Со временем с 7-нм технологии на 6-нм перейдёт достаточное количество клиентов компании, остальные же будут использовать 5-нм и 3-нм техпроцессы.
