Toshiba представила флэш-память NAND TSV с рекордным количеством слоев
Вслед за анонсом флэш-памяти BiCS с возросшей плотностью, компания Toshiba представила новое поколение памяти NAND с использованием межслойных соединений Through Silicon Via (TSV). Новые микросхемы флэш-памяти стали первыми в мире, в которых насчитывается 16 расположенных вертикально кристаллов.
Представлено два прототипа микросхем NAND объемом 128 ГБ (8 слоев) и 256 ГБ (16 слоев) с интерфейсом Toggle DDR. Их габариты равны 14×18 х 1,35 мм, высота микросхемы емкостью 256 ГБ выросла до 1,9 мм. По словам Toshiba, высокая скорость операций ввода/вывода в 1 Гбит/с сочетается с низковольтным потреблением: 1,8 В для ядер памяти и 1,2 В для схем ввода/вывода, обеспечивая 50-процентное снижение энергопотребления в сравнении с аналогами компании Toshiba.
Новинки должны найти применение в устройствах, где требуется высокое соотношение производительности и энергопотребления, включая корпоративные SSD.
Теги:
Toshiba
Комментировать
© iXBT
