Toshiba анонсировала новую линейку МОП-транзисторов низкого напряжения
28 мая 2014, 08:35
Компания Toshiba выпустила новую серию сверхэффективных МОП-транзисторов низкого напряжения Trench-MOSFET, которые созданы на основе разработанной компанией полупроводникоой технологии следующего поколения U-MOS IX-H.
Новинки обеспечивают лидирующие в отрасли показатели RDS (ON)*QOSS (произведение сопротивления открытого канала на выходной заряд) для устройств этого класса, а изначально состоящее из версий 40 В семейство, в скором времени будет увеличено за счёт устройств с номинальным напряжением от 30 В до 60 В.
Первое устройство в серии имеет типовое значение RDS (ON) всего 0,7 мОм (макс. 0,85 мОм) и типовую выходную ёмкость (Coss) 1930 пФ, а TPHR8504PL с номинальным напряжением 40 В оснащено очень компактным корпусом SOP-Advance размером всего 5×6 мм.
Семейство U-MOS девятого поколения будет использовано в преобразователях постоянного тока, системах синхронного выпрямления и других системах управления питанием, где выполняется работа при низкой мощности, высокоскоростное переключение и экономия места на печатной плате.
Для использования в переключателях на стороне высокого и низкого напряжения преобразователей постоянного тока, а также в дополнительных переключателях систем синхронного выпрямления преобразователей переменного тока в постоянный отлично подойдут МОП-транзисторы U-MOS IX-H. Технология U-MOS IX-H обеспечивает снижение площади кристалла на 65% с сохранением RDS (ON) или снижение RDS (ON) на 65% при той же площади кристалла по сравнению с поколением 40 В UMOS VI-H. Необходимо отметить улучшенное соотношение между выходным зарядом (Qoss) и RDS (ON), что приводит к повышению эффективности, так что МОП-транзисторы U-MOS IX-H позволяют конструкторам снизить энергопотребление и уменьшить размер оборудования.
Популярные материалы:
