Новые SSD-диски будут в пять раз быстрее
Компании Intel и Micron сообщили о начале производства и отгрузке производителям устройств технических образцов нового типа одноуровневых микросхем флэш-памяти типа SLC NAND, скоростные характеристики которых значительно превышают таковые у существующих микросхем. Разработчики подчёркивают, что новая NAND-память в пять раз быстрее современной, а аналитики считают, что достижение таких скоростей не только даст очередной мощный импульс развитию SSD-накопителей, но и позволит значительно увеличить производительность мобильных устройств, для которых производительность дисковой подсистемы до сих пор является одним из самых узких мест, при работе с ресурсоёмкими приложениями.
Intel подчёркивает, что новая высокоскоростная NAND флэш-память обладает пропускной способностью 200 Мбайт/сек при чтении информации и 100 Мбайт/сек при её записи. Для сравнения, пропускная способность обычной одноуровневой ячейки NAND флэш-памяти ограничена 40 Мбайт/сек при чтении данных и менее чем 20 Мбайт/сек при её записи.
Если новую память использовать в гибридном жестком диске, то скорость записи и чтения с него возрастет в среднем в два-четыре раза, а если из неё сделать чистый SSD-накопитель, то ни один из существующих дисков с ним по скорости не сравнится. Здесь стоит отметить, что новая память относится к типу одноуровневой SLC (Single-Level Cell), и такая память традиционно обходится дороже, чем более доступная многоуровневая MLC, а значит, за устройства, в которых будут установлены диски большой ёмкости из новой SLC NAND-памяти, покупателю придётся заплатить гораздо больше.
Новая память соответствует спецификации ONFi 2.0, имеет "четырехплоскостную" архитектуру, высокую рабочую частоту и будет выпускаться по технологии 50 нм. Массовое производство компонент ожидается на начало второго полугодия, а образцы для производителей готовой продукции уже отгружаются.
