Специалисты TSMC и NCTU совершили прорыв в синтезе нитрида бора
Нитрид бора (BN) является привлекательным материалом для полупроводниковой промышленности, поскольку из него можно формировать слои изолятора толщиной всего один атом. Однако пока нет пригодной для использования в серийном производстве технологии формирования таких пленок.
![Специалисты TSMC и NCTU совершили прорыв в синтезе нитрида бора](https://www.ixbt.com/img/x780/n1/news/2020/2/5/95dc1518361918edb495bdcf80de228a1da02e4f_large.jpg)
Прорыв в этой области, похоже, удалось совершить группе исследователей, возглавляемой технологическим директором TSMC и профессором университета NCTU. Тайваньские ученые нашли способ синтеза слоев нитрида бора толщиной в один атом на полупроводниковой пластине и продемонстрировали его эффективность в улучшении характеристик 2D-транзисторов.
Это важное достижение, поскольку другие существующие технологии не позволяют формировать монокристаллы BN такого качества, чтобы они были пригодны для применения в промышленном производстве. Участники проекта отмечают, что для доведения технологии до коммерческого применения необходимы дополнительные исследования.
© iXBT