Создан транзистор с затвором шириной 1 нм
Уменьшение технологических норм неизбежно ставит вопрос о том, на каком этапе придется отказаться от дальнейшего развития существующих технологий и чем их заменить. Пока производители находятся на рубеже 10 нм, ученые ищут подходы к дальнейшему уменьшению норм техпроцесса.
Группе специалистов из Калифорнийского университета удалось продемонстрировать, что предельную отметку размеров транзисторов, до недавнего времени считавшуюся равной 5 нм, можно отодвинуть до 1 нм. Именно такое сечение имеет затвор транзистора, созданного учеными. На сегодня, это самый маленький транзистор в мире. Для сравнения: диаметр человеческого волоса равен 80 000 — 100 000 нм.
В отличие от большинства современных транзисторов, рекордсмен изготовлен не из кремния, а из дисульфида молибдена (MoS2). Собственно затвор состоит из углеродной трубки. Другими словами, освоить более тонкие нормы можно, но придется отказаться от использования кремния, поскольку в нем на границе 5 нм проявляется эффект квантового туннелирования, мешающий работе рядом расположенных транзисторов. В свою очередь, прототип, созданный исследователями, показал, что в MoS2 возможность контролировать потоки электронов сохраняется. Конечно, ученые признают, что для практического внедрения разработке еще предстоит пройти долгий путь.
Источник: Science Alert
Комментировать
© iXBT
