Snapdragon 835 совместно сделают Qualcomm и Samsung
На саммите Snapdragon Technology компания Qualcomm представила новые флагманские чипсеты Snapdragon 835. О точных характеристиках производитель рассказывать не спешит, но новые чипы будут на 27 процентов производительнее, энергопотребление на 40 процентов ниже.
Snapdragon 835 использует технологию быстрой зарядки Quick Charge 4.0, которая позволяет заряжать устройства с ним в 2,5 раза быстрее. Один из самых интересных моментов заключается в том, что участвовать в производстве новинки будет и компания Samsung. У нового чипсета есть любопытная особенность архитектуры — он построен по 10 нм техпроцессу FinFET.
Компания Qualcomm в ходе презентации сообщила, что все характеристики чипсета будут раскрыты позднее, ориентировочно — в первых числах января. Устройства на базе этого чипсета окажутся на рынке в начале 2017 года.
© IGeek
