SK hynix запускает массовое производство 12-слойной памяти HBM3E объёмом 36 Гбайт
Пропускная способность HBM3E достигает впечатляющих 9600 МТ/с.
Компания SK hynix объявила о начале массового производства 12-слойной памяти HBM3E, предназначенной для высокопроизводительных вычислений и искусственного интеллекта. Новая разработка отличается повышенной ёмкостью и пропускной способностью при сохранении компактных размеров.
Технология HBM (High-Bandwidth Memory, высокопроизводительная память) существует уже давно, но её применение на потребительском рынке и в игровой индустрии было ограничено. Однако с появлением мощных ускорителей ИИ и универсальных вычислительных чипов, требующих всё больше памяти и пропускной способности, HBM обретает второе дыхание.
Новая 12-слойная память HBM3E от SK hynix, каждый слой которой вмещает 3 Гбайт, предлагает емкость 36 Гбайт, что на 50% больше, чем у 8-слойного варианта (24 Гбайт). При этом толщина модуля остается неизменной, что упрощает его интеграцию в существующие системы.
Пропускная способность HBM3E достигает впечатляющих 9600 МТ/с. При использовании 8 стеков памяти на графическом процессоре или ускорителе эффективная скорость передачи данных составит 1,22 ТБ/с.
SK hynix позиционирует новую память прежде всего для передовых ускорителей ИИ, которые благодаря увеличенной ёмкости смогут обрабатывать еще более масштабные языковые модели (LLM).
Отправка образцов памяти партнёрам началась ещё в марте этого года, а массовые поставки запланированы на конец года. Ожидается, что первыми устройствами с HBM3E станут видеокарты NVIDIA Blackwell Ultra и ускорители AMD Instinct MI325X, которые смогут похвастаться объемом памяти до 288 Гбайт.
