SK hynix считает нужным переходить на вертикальную компоновку транзисторов при производстве DRAM
Это позволит снизить себестоимость продукции, выпускаемой с помощью оборудования типа EUV.
В начале уходящей недели, как сообщает южнокорейский сайт The Elec, руководящий в SK hynix научными разработками Со Джэ Ук (Seo Jae Wook) признался, что компания всерьёз рассматривает переход на вертикальную компоновку транзисторов в микросхемах DRAM при использовании так называемой EUV-литографии. Планарная компоновка в данном сочетании обходится производителю достаточно дорого, и нужно использовать дополнительные методы повышения плотности размещения транзисторов на кристалле чипа памяти.
Источник изображения: SK hynix
Если условно «вытянуть» транзисторы в высоту за счёт перехода к вертикальной структуре, то удастся сократить площадь кристалла на 30%, а в совокупности с использованием EUV себестоимость и вовсе удастся снизить в два раза. Samsung также планирует перейти на подобную структуру транзисторов, но данный шаг потребует от производителей не только использования нового оборудования, но и новых типов материалов. Внедрять нововведения планируется одновременно с переходом на литографические нормы менее 10 нм, примерно через три или четыре года.
