SK hynix приступила к массовому производству 12-слойной HBM3E
Объём одного стека достигает 36 Гбайт.
В официальном пресс-релизе на этой неделе южнокорейская компания SK hynix сочла нужным напомнить, что именно она в марте текущего года начала массовый выпуск 8-слойных стеков памяти HBM3E объёмом 24 Гбайт. Сейчас она уже готова сообщить о начале массового выпуска 12-слойных стеков HBM3E объёмом 36 Гбайт. Это самая ёмкая и современная память этого класса.
Источник изображения: SK hynix
При этом толщину чипов DRAM в каждом ярусе SK hynix смогла уменьшить на 40% по сравнению с чипами предшествующего поколения. В совокупности, это позволило в полтора раза увеличить объём стека памяти HBM3E без увеличения его высоты. Новая технология упаковки стека также позволила на 10% улучшить характеристики его теплопроводности. Передача информации ведётся на скорости 9,6 Гбит/с. Клиенты SK hynix новую память начнут получать уже в этом году. По всей видимости, NVIDIA за счёт этого сможет оснастить 12-слойными стеками HBM3E свои ускорители вычислений поколения Blackwell.
