SK hynix готова поднять быстродействие памяти HBM в 20 или 30 раз
Но как скоро, не уточняет.
Ресурс Business Korea не смог обойти вниманием заявление вице-президента SK hynix Рю Сон Су (Ryu Seong-su), которое тот сделал на этой неделе во время своего выступления на отраслевом мероприятии в Сеуле. Компания, по его словам, стремится разработать память типа HBM, обладающую превосходящим в 20 или 30 раз быстродействием по сравнению с существующими микросхемами этого типа. Правда, когда подобный прорыв будет достигнут, он не уточнил.
Источник изображения: SK hynix
Много в выступлении Рю Сон Су говорилось о необходимости кастомизации памяти HBM, которую компания предлагает своим клиентам. Подобное распыление инженерных ресурсов обременительно для SK hynix, но она не собирается сворачивать с этого пути. Уже при выпуске HBM4 в ближайшие пару лет она намерена добиться более тщательной адаптации памяти под нужды крупных клиентов. Когда руководителя компании спросили, опасается ли он, что «ИИ пузырь» рано или поздно лопнет, он выразил надежду, что память типа HBM будет востребована рынком всегда.
