Сделан материал для энергонезависимой памяти
Учёные из Института физики полупроводников имени Ржанова С.О. РАН, Новосибирского государственного университета, Новосибирского государственного технического университета и Национального университета Чао Тунг(Тайвань) разработали и сравнили мемристоры на основе нитрида кремния, синтезированные с помощью двух разных технологий.
Лучшее за неделю
