Samsung запускает в производство 8-гигабитный чип мобильной DRAM-памяти LPDDR4
Компания Samsung объявила о старте массового производства первых в индустрии 8-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4, произведённых по 20-нанометровому технологическому процессу. Новый высокоэффективный чип мобильной памяти позволит продлить время работы батареи и ускорить загрузку приложений на мобильных устройствах с большим экраном и высоким разрешением. LPDDR — это наиболее широко распространённый тип оперативной памяти для мобильных устройств, который используется по всему миру. Новый 20-нм 8-гигабитный LPDDR4-чип обеспечивает вдвое большую производительность и плотность по сравнению с 4-гигабитными LPDDR3-чипами класса 20 нм. Новый 8-гигабитный LPDDR4-чип позволяет создать 4-гигабайтный модуль LPDDR4.
«Инициируя производство 20-нм 8-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4, которые работают даже быстрее, чем DRAM для ПК и серверов и при этом потребляют гораздо меньше энергии, мы вносим свой вклад в своевременный запуск флагманских мобильных устройств с большим экраном c разрешением UHD, — сказал Джу Сан Чой, исполнительный вице-президент подразделения Memory Sales and Marketing компании Samsung Electronics. — Это крупное достижение в индустрии мобильной памяти, и мы будем продолжать тесно сотрудничать с мировыми производителями мобильных устройств, чтобы оптимизировать DRAM-решения для мобильных ОС следующего поколения».
Благодаря скорости ввода/вывода данных до 3 200 Мбит/с, что в два раза быстрее, чем у стандартных DDR3 DRAM, используемых в ПК, новый 8-гигабитный чип LPDDR4 может поддерживать запись и воспроизведение видео в формате UHD и непрерывную съёмку в разрешении более чем 20 мегапикселей. Рабочее напряжение нового чипа LPDDR4 было снижено на 1,1 В относительно чипов предыдущего поколения LPDDR3, что делает новый чип от Samsung решением мобильной памяти с наименьшим потреблением энергии, доступным для смартфонов и планшетов с большим экраноми высокопроизводительных систем.
Применив новую фирменную технологию LVSTL для передачи сигналов ввода/вывода, Samsung удалось снизить энергопотребление нового чипа LPDDR4 и обеспечить возможность проводить высокочастотные операции при низком напряжении для оптимальной энергоэффективности.
В этом месяце компания Samsung начала выпуск 2-гигабайтных LPDDR4 и 3-гигабайтных LPDDR4-модулей на основе 8-гигабитного и 6-гигабитного LPDDR4 соответственно, эти решения уже могут приобрести поставщики процессоров и производители мобильных устройств по всему миру, а в начале 2015 года Samsung начнет производство модулей 4-гигабайтных LPDDR4.
Samsung планирует увеличить объём производства продуктов из своей линейки 20-нм DRAM чипов мобильной памяти, в том числе нового 8-гигабитного чипа LPDDR4 и недавно запущенного 8-гигабитного чипа DRAM-памяти для серверов, что позволит компании удовлетворять актуальные потребности клиентов, а также способствовать ускорению темпов роста рынка DRAM-решений высокой плотности.
© 4PDA
