Samsung выпустит вертикальную флэш-память емкостью до 1 Тб
Компании Samsung удалось опередить своих конкурентов и первой наладить массовое производство вертикальных микросхем памяти. По мнению специалистов компании, дальнейшее изменение технологических норм с целью сохранения небольших физических размеров памяти с одновременным увеличением ее объема невозможно. Поэтому было найдено решение, которое, скорее всего, является временным, но сможет обеспечить необходимый прирост объема памяти без ухудшения ее функциональных и прочих характеристик.
Samsung решила просто изменить ориентацию микросхем и теперь будет выпускать 20-нанометровую флэш-память с вертикальной компоновкой микросхем. Новая память получила название 3D Vertical NAND или 3D V-NAND. Стоит отметить, что здесь Samsung применила архитектуру «ловушки для заряда» (Charge Trap Flash, CTF), что наряду с вертикальными каналами металлизации позволило достичь значительно повысить надежность и плотность памяти, а также скорость записи данных. Отметим, что первые образцы микросхем 3D V-NAND без плавающего затвора будут выпускаться емкостью не более 16 Гб, но со временем Samsung обещает микросхемы, на которых будет размещаться до 1 Тб оперативной памяти.
© supreme2
