Samsung стала ближе к смартфонам с 6 гигабайтами оперативной памяти
Компания Samsung постоянно улучшает свою полупроводниковую продукцию, от процессоров/систем на кристалле до NAND-накопителей и оперативной памяти. Корейцы создали чип LPDDR4 RAM на 12 гигабит, что открывает дорогу к смартфонам и планшетам с 6 гигабайтами оперативной памяти.
12 гигабит — это 1,5 гигабайта, что является обычным делом для гаджетов среднего класса. Однако дело совсем не в этом. Чип создан по 20-нм техпроцессу, и раньше Samsung могли производить только 8-гигабитные (1 ГБ) чипы. Эти чипы затем объединяются по 2–3–4, в результате чего получаются модули RAM на 2, 3 или 4 гигабайта.
Сейчас максимум для премиум-смартфонов и планшетов — 4 гигабайта оперативной памяти. Таким образом, Samsung сможет производить 6-гигабайтные модули по 20-нм процессу, которые будут занимать столько же места и, возможно, потреблять столько же энергии. Никаких изменений из-за совместимости проводить не нужно — просто вместо 4 ГБ у гаджета будет 6.
Причем такие предложения от Samsung мы сможем увидеть уже в течение года, о чем корейцы совсем непрозрачно намекают. Возможно, следующий Galaxy Note будет иметь 6 ГБ оперативной памяти, поскольку линейку флагманов Galaxy S компания развивает чуть более консервативно.
