Samsung создала модуль оперативной памяти на 512 ГБ25.03.2021 15:46

Удивительное рядом

aa6e114137d99e77a01628c57f8d5975c8535b00

Несмотря на проблемы в мире компьютерных комплектующих, производители продолжают демонстрировать свои новейшие разработки. Так, например, Samsung создала и показала модуль оперативной памяти DDR5, объём которого 512 ГБ.

В основу решения легла технологий High-K Metal Gate (HKMG), пишет сама компания. Её суть заключается в использовании диэлектриков с высокой диэлектрической постоянной и металлических затворов.

Такая память, разумеется, создавалась не для совсем обычных домашних компьютеров. «Целевой аудиторией» такого решения, скорее, являются ЦОД и суперкомпьютеры.

Интересной особенностью южнокорейской разработки является то, что специалистам компании удалось на одном модуле разместить восемь слоёв микросхем DRAM объёмом 16 ГБ. Они, в свою очередь, были объединены через объёмную компоновку с межслойными соединениями.