Samsung разработала 3-е поколение памяти DDR4 10-нанометрового класса
Компания Samsung заявила о завершении разработки 3-го поколения оперативной памяти DDR4 DRAM 10-нанометрового класса, для чего ей не потребовалась экстремальная ультрафиолетовая литография.
Благодаря своим разработкам была выпущена память 1Z нм объёмом 8 Гб. Технология позволила увеличить долю выпуска годной продукции на 20%, по сравнению с прошлым поколением. Массовое производство микросхем начнётся во второй половине 2019 года.
1z нм память DDR4 от Samsung 
Новая память планируется к использованию в серверах нового поколения и хай-энд компьютерах, выпускаемых в 2020 году. Также технология будет использоваться для производства DRAM памяти других типов, включая DDR5, LPDDR5 и GDDR6.
В компании отмечают, что наладка производства 1Z нм памяти позволит фирме сохранить лидерство на рынке DRAM.
