Samsung разогнала память HBM2E свыше стандартных параметров
Даже если память типа HBM2E не появится в окрестностях графических процессоров Intel, AMD и NVIDIA, она неизбежно будет принята на вооружение ускорителями вычислений. Компания Samsung дождалась выхода обновлённого стандарта JEDEC, чтобы объявить о скором начале массового производства микросхем памяти типа HBM2E.
реклама
реклама
Сразу поясним, что сам стандарт позволяет создавать стеки памяти HBM2E из 12 ярусов, в каждом из которых располагается микросхема объёмом 2 Гбайт. Таким образом, в одном стеке может находиться до 24 Гбайт памяти. Стандартная скорость передачи информации — 3,2 Гбит/с в пересчёте на контакт. При условии использования 1024-разрядной шины совокупная скорость передачи информации достигает 410 Гбайт/с. Примечательно, что стандарт JEDEC никак не регламентирует высоту стека памяти, а это не очень удобно с точки зрения унификации компонентов в условиях массового производства.
реклама
Компания Samsung, объявляя о готовности начать массовое производство микросхем HBM2E поколения Flashbolt в текущем полугодии, в каких-то параметрах до требований стандарта не дотянула, а где-то их переплюнула. Например, пока высота стека составляет восемь ярусов, что обеспечивает объём памяти в 16 Гбайт. Зато скорость передачи информации, подтверждённая результатами испытаний, превышает стандартную — она достигает 4,2 Гбит/с на контакт, в совокупности это даёт 538 Гбайт/с против стандартных 410 Гбайт/с. Память HBM2E будет выпускаться Samsung по технологии 10-нм класса.
