Samsung работает над 160-слойной памятью NAND
Современные твердотельные накопители используют память NAND, состоящую из 96 или 64 слоёв. В работе находится 128-слойная память, однако компания Samsung разработала новую концепцию, которая позволит создать память в 160 слоёв, и даже больше.
Samsung Electronics разрабатывает 7-е поколение V-NAND, состоящее из 160 слоёв или даже больше. Для этого прорыва южнокорейский гигант планирует использовать технологию «двойного стека». Она предполагает открытие дырок в два различные периоды времени, чтобы электрический ток мог пройти по цепи. Сейчас компания использует технологию «одинарного стека», увеличивая число слоёв.
Samsung V-NAND
Память NAND, состоящая из 160 слоёв, станет первой в индустрии. Переход на такую память позволит резко увеличить объём SSD без увеличения количества применяемых микросхем.
