Samsung представила новую технологию памяти Selector-Only Memory (SOM)
Компания Samsung представила новую технологию памяти под названием Selector-Only Memory (SOM), которая сочетает в себе энергонезависимость и высокую скорость чтения/записи, аналогичную DRAM, а также возможность «наращивания». Для ускорения разработки SOM компания использовала передовые методы компьютерного моделирования.
SOM базируется на архитектурах памяти с перекрёстными точками, подобных памяти с изменением фазы и оперативной памяти RRAM, где используются стекированные массивы электродов. Обычно эти архитектуры требуют транзистора-селектора или диода для адресации определённых ячеек памяти.
Источник: DALL-EКомпания реализовала новый подход, исследуя материалы на основе халькогенидов, которые выполняют функции как селектора, так и элемента памяти, представив новую форму энергонезависимой памяти. Исследователи Samsung представят свои выводы на Международном собрании электронных приборов (IEDM) этого года, которое пройдет с 7 по 11 декабря в Сан-Франциско.
Южнокорейский технологический гигант провёл скрининг широкого спектра халькогенидных материалов для приложений SOM и изучил более 4000 комбинаций материалов, сузив их до 18 с помощью компьютерного моделирования на основе Ab-initio. Основное внимание уделялось улучшению дрейфа порогового напряжения и оптимизации окна памяти — двум ключевым факторам производительности SOM.
Источник: SamsungТрадиционные исследования SOM ограничивались использованием халькогенидных систем Ge, As и Se, обнаруженных в пороговых переключателях овонов (OTS). Однако Samsung утверждает, что её комплексный процесс моделирования позволил провести более широкий поиск, учитывая характеристики связи, термическую стабильность и надёжность устройства для повышения производительности и эффективности.
В последующей презентации IEDM исследователи IMEC обсудят потенциальные атомные механизмы, такие как локальная перестройка атомных связей и атомная сегрегация, которые могли бы объяснить, как работает селекторный компонент в SOM, дополнительно влияя на пороговое напряжение — важный фактор производительности памяти.
© iXBT
