Samsung начнёт выпуск 236-слойной памяти 3D NAND в этом году
Меньше слоёв, чем у конкурента, зато и доля рынка больше.
Как отмечает ресурс Business Korea, южнокорейский гигант Samsung Electronics не отказал себе в удовольствии принять участие в импровизированной «перекличке», которую начала конкурирующая американская компания Micron Technology. Не так давно она заявила о начале выпуска 232-слойной памяти типа 3D NAND, корейский производитель SK hynix тут же заявил о готовности выпускать 238-слойную память.
Источник изображения: Samsung Electronics
Samsung со своими заявлениями выжидал дольше всех, но уложился «ниже верхней планки» со своими 236 слоями. Сейчас компания поставляет 176-слойную памяти типа 3D NAND, а выпуск 236-слойных микросхем она собирается освоить до конца текущего года. Занимая 35% мирового рынка твердотельной памяти, корейский гигант делает ставку на сочетание оптимальной себестоимости и пригодности для выпуска изделий в существенных количествах. Количеством слоёв в этой ситуации приходится немного жертвовать на фоне той же SK hynix.
