Samsung начинает серийное производство 8-гигабитной памяти DDR4 на основе техпроцесса 20 нм
Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства первой в отрасли памяти 8Gb DDR4 и 32-гигабайтного (ГБ) модуля, которые производятся с использованием нового технологического процесса 20 нм и предназначены для корпоративных серверов.
«Наш новый модуль памяти 8Gb DDR4 DRAM на основе процесса 20 нм на данный момент превышает требования к производительности, плотности записи данных и энергоэффективности, благодаря чему он будет стимулировать распространение корпоративных серверов следующего поколения, — заявил Джихо Баик, вице-президент, подразделение маркетинга решений памяти, Samsung Electronics. — Расширяя линейку решений памяти DRAM на основе процесса 20 нм, мы сможем предоставлять решения DRAM премиум-уровня с высокой плотностью записи данных, удовлетворяя при этом растущий спрос со стороны потребителей на международном рынке корпоративных решений премиум-уровня».
Благодаря появлению новой памяти 8Gb DDR4, компания Samsung сейчас может предложить своим клиентам полноценную линейку решений памяти DRAM на основе процесса 20 нм: это позволит открыть новую эру с точки зрения производительности памяти DRAM 20 нм, которая теперь включает модули памяти 4Gb DDR3 20 нм для ПК и 6Gb LPDDR3 20 нм для мобильных устройств.
Новая память DDR4 с высокой плотностью записи данных также поддерживает улучшенные функции исправления ошибок, что повышает надежность памяти при сборке корпоративных серверов. Кроме того, в новых чипах и модулях DDR4 энергопотребление составляет 1,2 В, что на данный момент является наименьшим возможным значением напряжения.
© CNews
